一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构制造技术

本发明专利技术公开了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，属于半导体制造领域。该结构包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、In

【技术实现步骤摘要】
一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构


[0001]本专利技术涉及一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，属于半导体制造领域。

技术介绍

[0002]在毫米波段，InP HEMT(High electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管)器件由于击穿电压高，而且异质结InAlAs/InGaAs(铟铝砷/铟镓砷)界面处存在着较大的导带不连续性、二维电子气浓度大、沟道中电子迁移率高等性能更适用于高频应用。目前InP(磷化铟)基HEMT已经被广泛应用于卫星通信、毫米波雷达、微波电路、有源和无源毫米波成像等领域。但是InP衬底的小尺寸、高成本、易碎性等特点限制了其大规模、低成本生产。
[0003]在硅衬底上实现类似InP基的HEMT材料除了能够降低化合物半导体的制造成本，还能利用硅基材料高集成度的特性实现化合物半导体器件与集成电路的结合，因此具有重要的经济与应用价值。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提出了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，其特征在于，包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、In
X
Ga1‑
X
As沟道层、In
X
Al1‑
X
As空间隔离层、平面掺杂层、In
X
Al1‑
X
As势垒层和In
X
Ga1‑
X
As盖帽层；所述缓冲层包括从下至上依次形成采用低温生长的第一GaAs缓冲层、采用中温生长的In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格缓冲层、采用高温生长的第二GaAs缓冲层和采用低温生长的In
X
Al1‑
X
As组分渐变缓冲层。2.根据权利要求1所述的一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，其特征在于，所述Si衬底为p型的高阻Si。3.根据权利要求1所述的一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，其特征在于，所述的第一GaAs缓冲层的厚度为300～600nm，第二GaAs缓冲层的厚度为400～800nm。4.根据权利要求1所述的一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，其特征在于，所述的In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格缓冲层采用周期性外延的In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格结构以及超晶格结构上外延的GaAs材料，In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格结构以及之上外延的GaAs材料总体周期数为3～5，In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格结构周期数为5～10，In
X
Ga1‑
X
As/GaAs超晶格结构中In
X
Ga1‑
X
As厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：马奔，高汉超，王伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：