用于等离子体处理设备的等离子体增强器制造技术

用于等离子体处理设备的等离子体增强器，包括用于使辉光放电等离子体增强和／或点火以进行处理，尤其用来对工件（８）进行涂覆的装置（１，４），具有至少一个由导电材料制成的空心体（２，５）。该空心体如此构造，使得在该空心体上施加电信号时，至少在特定压力范围和电压范围里，满足了在空心体内部放电点火的几何条件。空心体具有至少一个开口，通过该开口，载荷子可以流出到所述装置的周围里，以便在那里能够使等离子体点火和运行，或者增强在那里所存在的等离子体。所述装置包括使空心体与工件电连接的机构，从而空心体基本处在工件电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种按照权利要求1的前序部分所述的用于等离子体处理设备的等离子体增强器，尤其是使用在按权利要求15所述的真空涂 装设备，或者用于按权利要求18所迷的真空处理方法中。
技术介绍
已知有热阴极或冷阴极，其中通过在阴极，例如螺旋丝极或具有高 的负电位的尖端，和阳极之间加上电压，从而在真空涂装设备的处理腔 里将电子提取出来，以便在那里提高载荷子的密度。这种电子源或离子 源都设有固有的供电源。阴极通常只是通过遮板与等离子体处理设备的 处理腔相连，以便例如避免由于等离子体处理过程产生的反应气体或其 它负面影响对阴极造成的负载。不利之处在于， 一方面在涂覆腔之外产 生电子，并因此必需有另外的装置将这些电子尽可能无损失地转送到处 理腔里，另一方面会由于附带地需要的供电源和复杂的结构型式，而出 于经济原因只设有少量的这样的电子源或离子源。也就是说大多数在等 离子体处理设备上只设置 一个这样的离子源。已知用于DLC层的沉积，也就是具有高比例sp^灰键的层，例如在 W0 01/79585中所描述的那样，它在基底上使用了中频激励，以便通过 所产生的辉光放电产生涂层沉积。辉光放电在这些构件和设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，用于使辉光放电等离子体增强和／或点火以处理，尤其是涂覆工件，具有至少一个由导电材料制成的空心体，其中空心体的空腔这样构造，使得在将电信号施加到空心体上时，至少在特定的压力范围和电压范围里，满足了在空心体内部进行放电点火的几何条件，并且空心体包括至少一个开口，通过该开口，载荷子可以流入到所述装置的周围里，以便在那里能够使等离子体实现点火和运行，或者增强在那里存在的等离子体，其特征在于，所述装置包括使空心体与工件电连接的机构，从而使空心体基本上处于工件电位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】CH 2005-5-4 788/051.一种装置，用于使辉光放电等离子体增强和/或点火以处理，尤其是涂覆工件，具有至少一个由导电材料制成的空心体，其中空心体的空腔这样构造，使得在将电信号施加到空心体上时，至少在特定的压力范围和电压范围里，满足了在空心体内部进行放电点火的几何条件，并且空心体包括至少一个开口，通过该开口，载荷子可以流入到所述装置的周围里，以便在那里能够使等离子体实现点火和运行，或者增强在那里存在的等离子体，其特征在于，所述装置包括使空心体与工件电连接的机构，从而使空心体基本上处于工件电位。2. 按权利要求1所迷的装置，其特征在于，空心体固定在用于安 放工件支架(4)的转盘机构(9)上。3. 按权利要求1所述的装置，其特征在于，所迷几何条件对于压 力范围在lxl(T至5x10—2mbar之间，优选在4x10—3至2xl0、bar之间得 到满足。4. 按权利要求1所述的装置，其特征在于，所迷几何条件对于电 压范围在200至2000V之间，优选在400至1200V之间的电信号得到满 足。5. 按权利要求3所述的装置，其特征在于，电信号是直流电压信 号、交流电压信号，尤其是在中频范围里的双极或单极脉沖的交流电压 信号。6. 按权利要求1所述的装置，其特征在于，空心体具有高度为h 和横截面，该横截面具有至少一个几何特征参数d,其中横截面的形状 为圆形、椭圆形、多边形或由不同几何形状组合成的形状，并且空心体 包括至少一个在高度h上延伸的侧面。7. 按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体在上面和/或下 面通过栅网遮盖。8. 按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体的侧面在其高 度h上具有多个开口或切槽。9. 按权利要求6所述的装置，其特征在于，空心体的至少一个侧 面包括栅网或者平行的丝线或杆，或者基本上由栅网或...

【专利技术属性】
技术研发人员：O马斯勒，H埃伯勒，P格施文德，
申请(专利权)人：奥尔利康贸易股份公司特吕巴赫，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]