一种表面等离子体增强量子阱红外探测器及其制备方法技术

一种表面等离子体增强量子阱红外探测器，所述探测器包括顶部接触层，其中所述顶部接触层上有刻蚀的光栅结构；所述顶部接触层之上设置有沉积的绝缘保护层；所述绝缘保护层上设置有向下刻蚀出的电极窗口，所述电极窗口开设至下部的顶部接触层；在所述电极窗口处沉积有金属电极层，所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。该红外探测器通过将金属电极层与含光栅的顶部接触层的接触，在金属与接触层的接触处形成了表面等离子激元，增强了量子阱红外探测器的外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
201610388352

【技术保护点】
一种表面等离子体增强量子阱红外探测器，所述探测器包括外延片，以及顺次制作在所述外延片一侧上的底部接触层、多量子阱层和顶部接触层，其中，所述顶部接触层上具有刻蚀的光栅结构；所述顶部接触层之上设置有绝缘保护层；在所述绝缘保护层上，设置有向下刻蚀出的电极窗口，所述电极窗口开设至下部的顶部接触层的上下表面之间；以及在所述电极窗口处沉积有金属电极层，所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。

【技术特征摘要】
1.一种表面等离子体增强量子阱红外探测器，所述探测器包括外延片，以及顺次制作在所述外延片一侧上的底部接触层、多量子阱层和顶部接触层，其中，所述顶部接触层上具有刻蚀的光栅结构；所述顶部接触层之上设置有绝缘保护层；在所述绝缘保护层上，设置有向下刻蚀出的电极窗口，所述电极窗口开设至下部的顶部接触层的上下表面之间；以及在所述电极窗口处沉积有金属电极层，所述金属电极层与所述顶部接触层以及所述光栅接触。2.根据权利要求1所述的表面等离子体增强量子阱红外探测器，其特征在于，所述顶部接触层为GaAs顶部接触层。3.根据权利要求1所述的表面等离子体增强量子阱红外探测器，其特征在于，所述外延片的另一侧制作有UBM层，所述UBM层上沉积有铟柱，并且所述探测器经过封装形成单管。4.根据权利要求1所述的表面等离子体增强量子阱红外探测器，其特征在于，所述金属电极层的金属是金、银、铂金或铝。5.根据权利要求1-4任一项所述的表面等离子体增强量子阱红外探测器，其特征在于，所述光栅之间的周期为3.2μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈良惠，廖垠鑫，宋国峰，徐云，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11