晶圆的图形刻蚀方法、薄膜谐振器组件及制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种晶圆的图形刻蚀方法、薄膜谐振器组件及制备方法。该晶圆的图形刻蚀方法包括：提供晶圆，晶圆包括图形区域和包围图形区域的去边区域；在去边区域形成刻蚀阻挡层，其中，晶圆和刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于或等于预设刻蚀选择比；在晶圆的表面形成光刻胶，其中，光刻胶覆盖图形区域和/或去边区域；对光刻胶进行去边处理；对光刻胶进行曝光和显影处理，以形成掩膜图形；根据掩膜图形，对晶圆的表面进行刻蚀处理，以形成刻蚀图形；去除掩膜图形；去除刻蚀阻挡层。本发明专利技术实施例提供的技术方案，实现了一种无凹陷结构、制备工艺简单、制备成本低的硅微盖晶圆，以及密封性良好和良率高的薄膜谐振器组件。性良好和良率高的薄膜谐振器组件。性良好和良率高的薄膜谐振器组件。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的图形刻蚀方法、薄膜谐振器组件及制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆的图形刻蚀方法、薄膜谐振器组件及制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通讯技术的不断发展，薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator)又称之为体声波谐振器(Bulk Acoustic Wave)，因具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数高、与CMOS工艺兼容等特点，目前已成为射频通信领域重要的器件被广泛应用。
[0003]图1为现有技术中的一种薄膜谐振器组件的制备方法各步骤对应的剖面结构示意图。参见图1，薄膜谐振器组件包括通过键合工艺固定连接的器件晶圆10和硅微盖晶圆20。硅微盖晶圆20和器件晶圆10相对的表面包括图形区域20a、去边区域20b和刻蚀图形21，其中，刻蚀图形21位于图形区域20a，但是在硅微盖晶圆20的刻蚀图形21形成过程中，在硅微盖晶圆20的表面形成光刻胶30，通过对光刻胶30进行曝光和显影工艺，以形成与刻蚀图形21对应的掩膜版。需要注意的是，在硅微盖晶圆20的表面形成光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的图形刻蚀方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括图形区域和包围所述图形区域的去边区域；在所述去边区域形成刻蚀阻挡层，其中，所述晶圆和所述刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于或等于预设刻蚀选择比；在所述晶圆的表面形成光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述图形区域和/或所述去边区域；对所述光刻胶进行去边处理；对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以形成掩膜图形；根据所述掩膜图形，对所述晶圆的表面进行刻蚀处理，以形成刻蚀图形；去除所述掩膜图形；去除所述刻蚀阻挡层。2.根据权利要求1所述的晶圆的图形刻蚀方法，其特征在于，去除所述刻蚀阻挡层之前还包括：至少一次对所述晶圆的表面进行光刻和刻蚀；其中，对所述晶圆的表面进行光刻包括：在所述晶圆的表面形成光刻胶；对所述光刻胶进行去边处理；对所述光刻胶进行曝光和显影处理；对所述晶圆的表面进行刻蚀包括：对所述晶圆的表面进行刻蚀处理。3.根据权利要求1所述的晶圆的图形刻蚀方法，其特征在于，去除所述刻蚀阻挡层之后还包括：在所述去边区域形成键合层。4.根据权利要求1所述的晶圆的图形刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆和所述刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于或等于1000：1。5.根据权利要求4所述的晶圆的图形刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度大于或等于所述刻蚀图形的最大深度的千分之一。6.根据权利要求1所述的晶圆的图形刻蚀方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱盈，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：