一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件制造方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体是涉及一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造。其特征在于：利用传统光刻工艺设备实现柔性微纳器件的制造，具体包括作为基底材料的柔性聚合物，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)，所述基底材料上通过光刻工艺沉积金属电极制备柔性衬底，所述柔性衬底作为微纳电子器件的载体，所述微纳电子器件通过电子束曝光工艺和金属蒸镀工艺制得金属电极作为源极与漏极的输入。本发明专利技术的有益效果是可以实现批量生产柔性微纳器件衬底，同时其在构建电极图形上具有较高的灵活性，对于器件复杂电学结构的搭建提供了很高的便捷性，适用范围更广。适用范围更广。适用范围更广。

【技术实现步骤摘要】
一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件制造方法


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其是涉及一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造。

技术介绍

[0002]近年来，微电子技术迅猛发展，开发具有简易制造流程、低成本、轻便可弯曲等特性的新型柔性电子材料和器件，可有效弥补传统刚性微电子器件的局限性，促进现代电子产品功能的多样性发展。
[0003]目前常见的柔性微纳电子器件制造方法有：
[0004]通过喷墨技术直接将功能材料打印到基板上形成图案，但由于利用多场调控提高喷印过程的操控性这项技术还不够成熟，使得喷印过程的稳定性较差，同时此类技术有着较高的生产成本。
[0005]通过转印技术将硬质基底电子器件一起转移至柔性基底上，但这种方法在高并发性和大规模集成量产上有着明显的技术瓶颈，还有待继续发展。
[0006]通过掩膜版直接在柔性基底上进行金属蒸镀，但这种方法因为衍射现象的存在很难进行较小尺寸电极的制造，同时其制造的电子器件的复杂程度也很受限不适用于复杂电路结构的引入。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造，其特征在于：包括作为基底材料的柔性聚合物，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)，所述基底材料上通过光刻工艺沉积金属电极制备柔性衬底，所述柔性衬底作为微纳电子器件的载体，所述微纳电子器件通过电子束曝光工艺和金属蒸镀工艺制得金属电极作为源极与漏极的输入。2.根据权利要求1所述，其特征在于，将PI膜固定在硬质基底上，方便进行光刻胶的旋涂，其中在PI膜与基底之间也旋涂有负胶202目的是使PI膜能够紧贴硬质基底。3.根据权利要求1所述，其特征在于，所述电子束曝光前衬底在旋涂光刻胶后还旋涂一层导电胶(AR
‑
PC 5090.02)，原因是PI基底的绝缘性使其在电子束曝光下会出现荷电效应，导致曝光图像发生漂移。4.一种柔性衬底的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)绘制柔性衬底上金属电极和十字标记图形，其中电极中间预留的空白区域，制作掩膜版。(2)将柔性P...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晶，吴大昊，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：