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一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件制造方法技术
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文档序号:31480343
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本发明属于半导体技术领域,具体是涉及一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造。其特征在于:利用传统光刻工艺设备实现柔性微纳器件的制造,具体包括作为基底材料的柔性聚合物,如聚酰亚胺(Polyimide,PI),所述基底材料上通过光刻工艺沉...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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