一种电子器件的掩膜层结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子器件的掩膜层结构，解决了现有的电子器件的掩膜层结构第一涂覆层与第二涂覆层施工不便，且窗口之间定位精度不够，不利于生产的问题，其包括底部设置的重掺第一类型掺杂层N+sub以及中部设置的轻掺杂第一类型掺杂层N

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件的掩膜层结构


[0001]本技术涉及电子器件加工领域，具体为一种电子器件的掩膜层结构。

技术介绍

[0002]SiC功率器件制造工艺包含零层光刻、离子注入、牺牲氧化层、电介质层、肖特基接触、欧姆接触、前层金属、背面金属等工艺流程。其中，作为制造工序中最为重要的一道工序，离子注入工序的工艺水平代表了SiC芯片制造水平，直接影响器件的性能。当今SiC量产晶圆以四寸和六寸为主，制造工艺也是围绕四寸和六寸晶圆来进行的，生产过程中普遍采用的光刻机的光刻水平(最小分辨率)大部分维持在1.5um左右。这就直接决定了SiC器件的离子注入区的设计尺寸必须要在1.5um以上，从而在很大程度上限制了SiC器件的设计空间，无法最大程度发挥SiC器件的潜力。
[0003]如申请号为：201821421116.2电子器件制造过程中的掩膜层结构用以解决上述技术背景中的问题，但其仍存在以下缺点，第一涂覆层与第二涂覆层施工不便，且窗口之间定位精度不够，不利于生产。

技术实现思路

[0004]针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本技术提供一种电子器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件的掩膜层结构，包括底部设置的重掺第一类型掺杂层N+sub(1)以及中部设置的轻掺杂第一类型掺杂层N
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sub(2)，其特征在于：还包括第一覆层(3)、第二覆层(4)和第一窗口区(5)，轻掺杂第一类型掺杂层N
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sub(2)的表面涂覆有第一覆层(3)，第一覆层(3)的表面涂覆有若干个第二覆层(4)，第二覆层(4)之间形成第一窗口区(5)。2.根据权利要求1所述的一种电子器件的掩膜层结构，其特征在于，所述第一覆层(3)的厚度在4～5um。3.根据权利要求1所述的一种电子器件的掩膜层结构，其特征在于，所述第二覆层(4)的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昌利，张涵，金镇亨，
申请(专利权)人：威星国际半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：