高速探测器钝化层结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，可以解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。其中，高速探测器钝化层结构，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。之外的环形区域上。之外的环形区域上。

【技术实现步骤摘要】
高速探测器钝化层结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及到一种高速探测器钝化层结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体表面是具有特殊性质的表面，对外界环境气氛极为敏感，因而对探测器性能有决定性影响，为了保证器件性能，提高可靠性和稳定性，需要对表面采取有效的保护措施即所谓的表面钝化技术，钝化(降低)对外界环境的敏感性。
[0003]目前在生成高速探测器的钝化层时，采用普通光刻曝光，将所需的图案印在芯片上，显影高固后，直接进入钝化炉，通入N2升温钝化，后续利用等离子蚀刻直接蚀刻掉多余光刻胶浮渣。
[0004]然而，高速探测器光刻显影后，光刻胶本身无法完全显影干净，有多余浮渣在显影区域，导致后续钝化后蚀刻时，蚀刻工艺很难把控，也很难判断浮渣是否蚀刻干净。如果过蚀刻较多，台面光刻胶整体厚度不够，则钝化层作用直接受影响，这样会导致探测器芯片可靠性偏低，寿命降低，胶体分层现象严重等问题，后续器件长期寿命变短，失效率高，芯片器件与光刻胶粘附能力下降，影响一系列芯片的光电特性。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速探测器钝化层结构，其特征在于，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。2.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜的厚度为80
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100nm。3.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜是利用等离子增强化学气相沉积设备生成的。4.一种高速探测器钝化层结构的制作方法，其特征在于，包括：在高速探测器表面上沉积介质膜，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；在所述介质膜上匀涂第一光刻胶，所述第一光刻胶为BCB胶；通过第一钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述介质膜和所述第一光刻胶构成的第一钝化层结构。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一钝化处理包括：在所述介质膜和所述第一光刻胶上进行曝光显影处理，使得在所述第一光刻胶上形成光刻胶图案；在进行高温固化处理后，通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率；根据所述蚀刻速率计算蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，王权兵，徐之韬，赵雪妍，王任凡，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：