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本发明公开了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，可以解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。其中，高速探测器钝化层结构，包括：介质...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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