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一种电子器件的掩膜层结构制造技术
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下载一种电子器件的掩膜层结构的技术资料
文档序号:31284708
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本实用新型公开了一种电子器件的掩膜层结构,解决了现有的电子器件的掩膜层结构第一涂覆层与第二涂覆层施工不便,且窗口之间定位精度不够,不利于生产的问题,其包括底部设置的重掺第一类型掺杂层N+sub以及中部设置的轻掺杂第一类型掺杂层N
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该专利属于威星国际半导体(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过威星国际半导体(深圳)有限公司授权不得商用。
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