本发明专利技术涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，其具体工艺如下：步骤a1，在第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。本发明专利技术的目的在于提供一种背接触异质结太阳能电池制造方法，采用化学蚀刻方法实现对第一导电区的开口，使底部半导体层损伤降至最小。降至最小。降至最小。
【技术实现步骤摘要】
一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法
[0001]本专利技术涉及一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法。
技术介绍
[0002]背接触异质结太阳能电池(HBC)是基于硅基高效异质结工艺制作的背接触太阳能电池，正负电极均设置在电池片的背面。因其正负电极均在电池片背面，电池片正面无任何电极遮挡光线，可以达到最大的光吸收面积，有效的提高太阳能电池效率。背接触异质结太阳能电池最高实验室效率可达到26.67％，是目前硅基单结电池实验室的最高转换效率，备受业界关注。
[0003]虽然背接触异质结太阳能电池有最高转换效率，但因其工序极其繁琐，制程复杂，量产化进展缓慢。目前常见的背接触异质结电池制作方法可分为两类：一类是采用掩膜和腐蚀液蚀刻交替的制作方法，一类是以激光蚀刻替代部分腐蚀液蚀刻步骤的制作方法。激光蚀刻中，激光透过绝缘层对底部半导体层的损伤不可避免，一定程度上限制了背接触异质结太阳能电池转换效率的进一步提高。因此，如要促进背接触异质结太阳能电池的发展，提出一种降低激光等对转换效率的影响、工序简洁、制程简单并的制作方法尤为重要。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，采用化学蚀刻方法实现对第一导电区的开口，使底部半导体层损伤降至最小。
[0005]本专利技术的目的通过如下技术方案实现：
[0006]一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其具体工艺如下：
[0007]步骤a1，在半导体基板的第一主面的第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；
[0008]步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；
[0009]步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；
[0010]步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；或者，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层及覆盖于其下的第二导电型膜层，再采用化学蚀刻方式除去第二抗腐蚀层；
[0011]步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。
[0012]较之现有技术而言，本专利技术的优点在于：
[0013](1)通过增设第二绝缘层及第二抗腐蚀层，配合化学蚀刻工艺实现对第一导电区的开口，使第一导电区底部半导体层损伤降至最小，特别是第一导电区为P型半导体层时，有利于缩短工艺时间，提高产能。
[0014](2)将激光工艺、化学蚀刻工艺与制绒清洗工艺相结合，简化第一导电区和第二导电区图形的制作工艺，缩短流程。
[0015](3)当采用先制作P型导电区的工艺时，采用激光工艺对P型半导体层进行图形化，利用激光蚀刻快速高效的特点去除较难腐蚀P型半导体层，缩短工艺时间，提高产能。
附图说明
[0016]图1是本专利技术一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法的流程简图。
[0017]图2是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0018]图3是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0019]图4是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0020]图5是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0021]图6是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0022]图7是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0023]图8是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0024]图9是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0025]图10是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0026]图11是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0027]图12是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0028]图13是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0029]图14是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
[0030]图15是本专利技术太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
具体实施方式
[0031]一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其具体工艺如下：
[0032]步骤a1，在半导体基板的第一主面的第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；
[0033]步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；
[0034]步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；
[0035]步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；或者，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层及覆盖于其下的第二导电型膜层，再采用化学蚀刻方式除去第二抗腐蚀
层；
[0036]步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。
[0037]在进行步骤a2处理之前，对半导体基板的第一主面和第二主面进行双面制绒，以在半导体基板的外露表面形成金字塔绒面。
[0038]所述步骤a2还包括在半导体基板的第二主面依次设置第三导电型膜层和第三绝缘层。
[0039]所述步骤a1的具体方法为，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层和第一绝缘层，之后采用激光蚀刻方式除去第一导电区以外区域的第一绝缘层和第一导电型膜层，以形成表面附着有第一绝缘层的第一导电区；
[0040]所述第一导电型膜层由以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成第一钝化层和第一半导体层构成，所述第一半导体层为P型非晶硅层或P型微晶硅层；所述第二导电型膜层由以半导体基板的第一主面为底面从底到面依次形成第二钝化层和第二半导体层构成，所述第二半导体层为N型非晶硅层或N 型微晶硅层；所述第一钝化层和第二钝化层分别为本征非晶硅层、本征微晶硅层中的至少一层。
[0041]所述第一绝缘层和第二保护层由酸性溶液可去除的材料制成；
[0042]所述步骤a3中，第二抗腐蚀层由碱性溶液可去除的材料通过丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印制成；
[0043]所述步骤a4中，先采用酸性溶液蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，后采用碱性溶液蚀刻方式除去第二抗腐蚀层和裸露在外的第二导电型膜层；或者，先使用印刷蚀刻膏的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其具体工艺如下：步骤a1，在半导体基板的第一主面的第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；或者，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层及覆盖于其下的第二导电型膜层，再采用化学蚀刻方式除去第二抗腐蚀层；步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。2.根据权利要求1所述的采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤a1的具体方法为，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层和第一绝缘层，之后采用激光蚀刻方式除去第一导电区以外区域的第一绝缘层和第一导电型膜层，以形成表面附着有第一绝缘层的第一导电区。3.根据权利要求2所述的采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述第一导电型膜层由以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成第一钝化层和第一半导体层构成，所述第一半导体层为P型非晶硅层或P型微晶硅层；所述第二导电型膜层由以半导体基板的第一主面为底面从底到面依次形成第二钝化层和第二半导体层构成，所述第二半导体层为N型非晶硅层或N型微晶硅层；所述第一钝化层和第二钝化层分别为本征非晶硅层、本征微晶硅层中的至少一层。4.根据权利要求1所述的采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二保护层由酸性溶液可去除的材料制成；所述步骤a3中，第二抗腐蚀层由碱性溶液可去除的材料通过丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印制成；所述步骤a4中，先采用酸性溶液蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，后采用碱性溶液蚀刻方式除去第二抗腐蚀层和裸露在外的第二导电型膜层；或者，先使用印刷蚀刻膏的方式直接腐蚀裸露在外的第二保护层及覆盖于其下的第二导电型膜层的大部分，再用碱性溶液蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超华，谢志刚，黄巍辉，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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