一种管式PECVD设备用石墨舟制造技术

本技术涉及一种管式PECVD设备用石墨舟，它包括绝缘间隔布设的多片石墨舟片；所述石墨舟片在各个片位的内部区域开设有片位通孔，所述片位通孔中安装有易导电的良导体片。本技术的目的在于提供一种管式PECVD设备用石墨舟，提高片位的导电性能，让反应气体在低温条件迅速离化，利于均匀成膜。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种管式pecvd设备用石墨舟。

技术介绍

1、现有的管式pecvd设备所用的石墨舟舟片的片位为通透结构，在高温条件下，可满足石墨舟片导电性及镀膜均匀性的要求。

2、随着我国光伏产业的迅猛发展，管式pecvd设备也逐步应用于异质结太阳能电池、背接触异质结太阳能电池等太阳能电池的生产制造过程中，用于沉积氮化硅、氧化硅、非经硅、微晶硅等膜层以及其他处理制程。

3、为了匹配工艺需要，管式pecvd设备需采用不同的工艺温度进行相应膜层的沉积，如氮化硅膜层一般采用400-550℃的工艺，而非晶硅膜层一般采用200-300℃的工艺温度，而低温沉积膜层需要更高的离化率才能让膜层沉积均匀，因此对石墨舟片的导电性能有更高要求。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种管式pecvd设备用石墨舟，提高片位的导电性能，让反应气体在低温条件迅速离化，利于均匀成膜。

2、本技术的目的通过如下技术方案实现：

3、一种管式pecvd设备用石墨舟，它包括绝缘间隔布设的多片石墨舟片；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种管式PECVD设备用石墨舟，其特征在于：它包括绝缘间隔布设的多片石墨舟片；所述石墨舟片在各个片位的内部区域开设有片位通孔，所述片位通孔中安装有易导电的良导体片；所述良导体片的厚度不超过石墨舟片的厚度，所述良导体片的外表面不凸出石墨舟片的外表面；相邻石墨舟片之间设有沿石墨舟片延伸方向安装且位于各个片位通孔旁侧的绝缘柱；所述绝缘柱上设有标示其所在纵横方位且易识别的位置标识；所述位置标识由行标示和列标示的组合构成，以各个片位通孔之间的间隔为行通过数字或字母进行行标示，以各片石墨舟片之间的间隔为列通过数字或字母进行列标示。

2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备用石墨舟，...

【技术特征摘要】

1.一种管式pecvd设备用石墨舟，其特征在于：它包括绝缘间隔布设的多片石墨舟片；所述石墨舟片在各个片位的内部区域开设有片位通孔，所述片位通孔中安装有易导电的良导体片；所述良导体片的厚度不超过石墨舟片的厚度，所述良导体片的外表面不凸出石墨舟片的外表面；相邻石墨舟片之间设有沿石墨舟片延伸方向安装且位于各个片位通孔旁侧的绝缘柱；所述绝缘柱上设有标示其所在纵横方位且易识别的位置标识；所述位置标识由行标示和列标示的组合构成，以各个片位通孔之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锦山，张超华，廖培灿，谢啊山，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：