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一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法技术
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下载一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法的技术资料
文档序号:31489679
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本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法,它包括步骤A,其具体工艺如下:步骤a1,在第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层;步骤a2,在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层;步骤a3,在需要保...
该专利属于福建金石能源有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建金石能源有限公司授权不得商用。
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