一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器制造技术

本发明专利技术属于红外探测器技术领域，提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中，衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构，所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明专利技术提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率，进一步本发明专利技术提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性，且不具有偏振，在三叶草基础上进一步提供雪花结构，进一步提高吸收率。进一步提高吸收率。进一步提高吸收率。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器


[0001]本专利技术属于红外探测器
，尤其涉及一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器。

技术介绍

[0002]红外探测器因其在通讯、环境检测等领域广泛应用得到了极大的发展。目前的偏振敏感红外探测器主要由低维、高偏振的半导体材料制成，对于偏振敏感红外探测器的集成化、小型化具有重大意义。
[0003]当前，这些集成化、小型化的偏振敏感红外探测器很多都是基于各向异性几何结构。基于各向异性几何结构(如纳米线，超表面)制备的偏振敏感红外探测器二色性及红外波段吸收光谱窄，也即其吸收率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种砷化铟纳米结构和基于砷化铟纳米结构的红外探测器，旨在提高偏振及宽光谱红外探测器的吸收率。
[0005]本专利技术提供一种砷化铟纳米结构，包括：衬底和设置在所述衬底上的砷化铟结构，所述砷化铟结构至少包括一片状结构的砷化铟。
[0006]其中，所述片状结构的砷化铟的长度为2000nm，宽度为100nm，高度为5000nm。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化铟纳米结构，其特征在于，包括：衬底和设置在所述衬底上的纳米级砷化铟结构，所述砷化铟结构至少包括一片状结构的砷化铟。2.根据权利要求1所述的砷化铟纳米结构，其特征在于，所述片状结构的砷化铟的长度为2000nm，宽度为100nm，高度为5000nm。3.根据权利要求2所述的砷化铟纳米结构，其特征在于，所述砷化铟结构的x轴阵列周期为2250nm，y轴阵列周期为1750nm，其中y轴与所述片状砷化铟所在平面垂直，x轴与y轴相互垂直，x轴与y轴组成的平面与所述衬底平行。4.根据权利要求1所述的砷化铟纳米结构，其特征在于，所述砷化铟结构包括由三个片状结构砷化铟组成的三叶草结构。5.根据权利要求4所述的砷化铟纳米结构，其特征在于，每个所述片状结构砷化铟的最优尺寸为：长度为1100nm，宽度为11...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茜，李子园，袁小明，何军，左鑫荣，黄志伟，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：