分割溅射靶制造技术

本发明专利技术提供在溅射处理时可抑制背板的构成材料混入到成膜的薄膜中的分割溅射靶。[解决手段]所述分割溅射靶具备：基体；相邻的靶构件彼此空开间隙地被配置于上述基体的表面上的多个靶构件；设置于上述基体的表面与上述多个靶构件之间的接合材；和保护构件，其按照下述方式被设置于上述基体的表面上：至少覆盖彼此相邻的靶构件的间隙，以使上述基体表面不会从上述间隙被溅射，其中，上述保护构件具有：沿第1方向延伸的第1部分；沿与上述第1方向交叉的方向延伸的第2部分；和连接上述第1部分及上述第2部分的第3部分。述第2部分的第3部分。述第2部分的第3部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】分割溅射靶


[0001]本专利技术涉及分割溅射靶，更详细而言，涉及在相邻的靶构件彼此的间隙处设置保护构件而使背板不露出的分割溅射靶。

技术介绍

[0002]近年来，溅射法在制造信息设备、AV设备、家电制品等各电子部件时被经常使用，例如，在液晶显示装置等显示设备中，薄膜晶体管等半导体元件通过溅射法来形成。这是由于：作为以大面积且高精度地形成构成透明电极层等的薄膜的制法，溅射法极为有效。
[0003]可是，在最近的半导体元件中，代替非晶硅，以IGZO(In
‑
Ga
‑
Zn
‑
O)为代表的氧化物半导体受到关注。而且，关于该氧化物半导体，也期望与非晶硅同样地利用溅射法来形成氧化物半导体薄膜。然而，就溅射中使用的氧化物半导体的溅射靶而言，由于其原材料为陶瓷，因此难以由一片靶构件来构成大面积的靶。因此，通过准备多个具有一定程度大小的氧化物半导体靶构件，在具有所期望的大小的被称为背板的基体上配置各氧化物半导体靶构件，将基体与各靶构件进行接合，从而制造了大面积的氧化物半导体溅射靶(例如参照专利文献1)。
[0004]该溅射靶的背板通常为铜制或铜合金制，对于背板与靶构件的接合，使用了In系或Sn系金属等热传导良好的低熔点软钎料。例如，在制造大面积的氧化物半导体溅射靶时，准备具有所需面积的背板，将该背板表面分成多个分区，准备多个具有与该分区相应的面积的氧化物半导体靶构件。然后，在背板上配置多个靶构件，介由低熔点软钎料将各靶构件接合于背板上。在该接合时，考虑背板与靶构件的热膨胀之差，在相邻的靶构件彼此之间，按照在室温时形成0.1mm～1.0mm的间隙的方式进行调整来配置。
[0005]就将这样的多个氧化物半导体靶构件接合而得到的分割溅射靶而言，由于如上所述地在各靶构件彼此之间设置间隙进行配置，因此下述问题令人担忧：在溅射处理中背板也从靶构件间的间隙被溅射，背板材料混入到所形成的氧化物半导体的薄膜中。因此，进行下述操作：按照使各靶构件的端部剖面倾斜的方式进行加工，在溅射处理时使等离子体不会到达至背板表面(例如专利文献2等)；此外，在相邻的靶构件彼此的间隙处设置保护构件而使背板不会露出(例如专利文献3等)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2005
‑
232580号公报
[0009]专利文献2：日本特开平2
‑
254164号公报
[0010]专利文献3：国际公开第2012/063524号小册子

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]在上述那样的分割溅射靶中，专利文献2等所提出的方法虽然不需要在分割靶构
件彼此的间隙处设置保护构件，但由于需要对分割靶构件的端部进行加工，因此不能说是简便的方法。因此，一般适用专利文献3等所提出的方法。
[0013]在专利文献3等所提出的方法、即在相邻的靶构件彼此的间隙处设置保护构件的方法中，在矩形状的大面积背板表面配置单片的靶构件的情况下，准备长条状的保护构件，将其切断成所期望的长度，例如如图3中所示的那样，制作沿第1方向延伸的第1部分的保护构件和沿与第1方向交叉的方向延伸的第2部分的保护构件。接着，通过将各保护构件贴合于背板上，使靶构件彼此的间隙与设置有保护构件的部分相对应，介由接合材将各靶构件贴合，由此可以制造溅射靶。
[0014]如上述那样操作进行制造的分割溅射靶如图3中所示的那样保护构件的第1部分与第2部分之间并没有被接合，严格来讲存在间隙(界面)。因此，即使是在贴合了靶构件的状态下保护构件的间隙也露出，有可能在溅射处理时背板的构成材料会混入到所成膜的薄膜中。
[0015]因此，本专利技术的目的是提供能够在溅射时抑制背板的构成材料混入到薄膜中的分割溅射靶。
[0016]用于解决课题的手段
[0017]本专利技术的专利技术者们对这样的课题进行了研究，结果得到下述认知：通过设置连接保护构件的第1部分和第2部分的第3部分，从而在溅射处理时，能够抑制背板的构成材料混入到薄膜中。本专利技术是基于所述认知完成的。根据本专利技术，可提供以下的分割溅射靶。
[0018]本专利技术的分割溅射靶具备：
[0019]基体；
[0020]相邻的靶构件彼此空开间隙地被配置于上述基体的表面上的多个靶构件；
[0021]设置于上述基体的表面与上述多个靶构件之间的接合材；和
[0022]保护构件，其按照下述方式被设置于上述基体的表面上：至少覆盖彼此相邻的靶构件的间隙，以使上述基体表面不会从上述间隙被溅射，
[0023]其中，上述保护构2部分与所述第3部分件具有：沿第1方向延伸的第1部分；沿与上述第1方向交叉的方向延伸的第2部分；和连接上述第1部分及上述第2部分的第3部分。
[0024]专利技术效果
[0025]根据本专利技术，通过使用具有沿第1方向延伸的第1部分、沿与上述第1方向交叉的方向延伸的第2部分、和连接上述第1部分及上述第2部分的第3部分的保护构件，从而在溅射时，能够抑制背板的构成材料混入到薄膜中。
附图说明
[0026]图1是表示本专利技术的分割溅射靶的一个实施方式的立体图。
[0027]图2是表示制造图1的分割溅射靶时的贴合靶构件之前的状态的平面图。
[0028]图3是以往的分割溅射靶中的保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的平面放大图。
[0029]图4是本专利技术的分割溅射靶中的保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的平面放大图。
[0030]图5是表示保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的其他实施方式的平面放大
图。
[0031]图6是表示保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的其他实施方式的平面放大图。
[0032]图7是表示保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的其他实施方式的剖面放大图。
[0033]图8是表示保护构件的第1部分与第2部分交叉的部分的其他实施方式的立体图。
[0034]图9是图1中所示的分割溅射靶的A
‑
A
’
剖面图。
[0035]图10是表示实施例1中制作的保护构件的形状的外观图。
[0036]图11是对在背板的表面贴合有实施例1中制作的保护构件的状态进行说明的立体图。
[0037]图12是实施例1中制作的分割溅射靶的立体图。
[0038]图13是表示实施例2中制作的保护构件的形状的外观图。
具体实施方式
[0039]在参照附图的同时对本专利技术的一个实施方式的分割溅射靶进行说明。图1是表示本专利技术的分割溅射靶的一个实施方式的立体图，图2是从上表面观察制造图1的分割溅射靶时的贴合靶构件之前的状态的平面图。本专利技术的分割溅射靶1具备：基体10；和相邻的靶构件20彼此空开间隙30地被配置于基体10的表面上的多个靶构件20a、20b、20c、20d。图1中所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种分割溅射靶，其具备：基体；相邻的靶构件彼此空开间隙地被配置于所述基体的表面上的多个靶构件；设置于所述基体的表面与所述多个靶构件之间的接合材；和保护构件，其按照下述方式被设置于所述基体的表面上：至少覆盖彼此相邻的靶构件的间隙，以使所述基体表面不会从所述间隙被溅射，其中，所述保护构件具有：沿第1方向延伸的第1部分；沿与所述第1方向交叉的方向延伸的第2部分；和连接所述第1部分及所述第2部分的第3部分。2.根据权利要求1所述的分割溅射靶，其中，所述第1部分、所述第2部分与所述第3部分被一体地形成。3.根据权利要求1所述的分割溅射靶，其中，所述第1部分和所述第2部分由同一材料构成，所述第3部分由与所述第1部分及所述第2部分不同的材料构成。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野智泰，打田龙彦，寺村享祐，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：