离子辅助、倾斜溅射的PVD系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，包括腔室，腔室内设置有等离子体源、靶支架和基板载物台，所述基板载物台的正面周围设置有气体喷淋单元，所述气体喷淋单元包括喷气环，基板载物台对应喷气环的中间用以放置基片，所述气体喷淋单元还包括若干喷孔，若干喷孔在喷气环的内侧沿圆周均匀分布，所述喷气环上设置有与喷孔连通的气道，本实用新型专利技术具有可以用于喷出如氧气的处理气体的气体喷淋单元，以促进在溅射沉积过程中处理气体与靶材溅射处的颗粒之间的化学反应，喷孔可以沿着气管的长度方向均匀分布，使得化学反应在晶圆的表面上可以基本均匀的进行。的表面上可以基本均匀的进行。的表面上可以基本均匀的进行。

【技术实现步骤摘要】
离子辅助、倾斜溅射的PVD系统


[0001]本技术属于薄膜物理气相沉积系统领域，更具体的说涉及一种离子辅助、倾斜溅射的PVD系统。

技术介绍

[0002]溅射沉积系统可用于在各种基片(例如Si基片)上沉积各种材料的薄膜。它可以广泛应用于包括例如半导体、磁存储、光学系统和微机电系统(MEMS)等众多工业领域。待沉积的材料可以是金属、半导体、绝缘体等几乎所有固体材料，其中含氧化物，如，氧化铝，氧化锌，氧化锡或二氧化钛等。作为示例，沉积系统可以利用惰性气体(如Ar等)产生的等离子体来溅射靶材料。靶材料的原子(或包括原子的粒子)可以被离子化、且被电场和磁场加速的高能量的Ar气等离子体轰击而出，随后附着至基片的表面。
[0003]溅射过程中，除惰性气体(如Ar气)外，也可以有反应气体(如氧气、氮气等)加入，则形成反应溅射，即由金属靶材表面被轰击而出的金属原子，与腔体中引入的反应气体产生化学反应，在沉积到基片表面之前，形成氧化物、氮化物等，随后附着至基片的表面。
[0004]在反应溅射过程中，溅射原子在腔体内需要进行氧化或氮化的化学反应，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，包括腔室，腔室内设置有等离子体源、靶支架和基板载物台，其特征在于：所述基板载物台的正面周围设置有气体喷淋单元。2.根据权利要求1所述的离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，其特征在于：所述气体喷淋单元包括喷气环，基板载物台对应喷气环的中间用以放置基片，所述气体喷淋单元还包括若干喷孔，若干喷孔在喷气环的内侧沿圆周均匀分布，所述喷气环上设置有与喷孔连通的气道。3.根据权利要求1所述的离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，其特征在于：所述气体喷淋单元位于基板载物台和靶支架之间，所述气体喷淋单元包括气管，气管包括气体入口和若干个喷孔，喷孔朝向基板载物台方向倾斜。4.根据权利要求3所述的离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，其特征在于：所述基板载物台的前方设置有可开启的挡板。5.根据权利要求4所述的离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，其特征在于：所述基板载物台的前方表面设置有密封单元，密封单元沿着基板载物台的轮廓形状布置，基片布置于密封单元上，且基片与基板载物台之间形成空腔，所述基板载...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐云俊，王昱翔，周虹玲，周东修，
申请(专利权)人：浙江艾微普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：