一种MEMS压阻式压力传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MEMS压阻式压力传感器，包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座，硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜，栅齿结构位于硅应变膜的正面，压敏电阻位于栅齿结构的端部，金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜的正面形成欧姆接触，玻璃底座为与硅应变膜背面进行键合的打孔玻璃。本实用新型专利技术通过采用在硅衬底的正面设置具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线以及玻璃底座所形成的压阻式压力传感器，使得栅齿梁膜结构在保证压力传感器灵敏度的同时又能提高传感器线性度。灵敏度的同时又能提高传感器线性度。灵敏度的同时又能提高传感器线性度。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS压阻式压力传感器


[0001]本技术属于微电子机械系统传感器
，具体涉及一种MEMS压阻式压力传感器。

技术介绍

[0002]MEMS压阻式压力传感器是基于单晶硅压阻效应将外界压力变化转变为相应的电信号，通过四个等值电阻组成惠斯通电桥实现对外界压力的测量。MEMS压阻式压力传感器主要应用于工业控制、汽车电子、消费电子、医疗电子和航空航天等相关领域。MEMS压阻式压力传感器采用MEMS技术进行设计和工艺开发，其内部由采用硅晶圆得到的硅膜片作为力敏元件、通过掺杂、刻蚀等MEMS工艺制作的四对等值电阻和低阻值的互连线、蒸发沉积的金属引线等多种材料集成的多功能层所组成。
[0003]此外，MEMS压阻式压力传感器结构主要以平膜式(如图1所示)和梁膜式(如图2所示)为主，为了追求高灵敏度的性能要求，平膜结构压力传感器芯片的应变膜片设计的越来越薄，而较薄的应变膜片会导致较大的膜挠度，使得膜片最大位移值超过一般设计标准(梁膜厚度五分之一原则)，从而导致传感器线性度降低；而梁膜结构压力传感器虽然具有优异的线性度，但流片制造过程中涉及到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座，所述硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜，所述栅齿结构位于硅应变膜的正面非梁膜区域内，所述压敏电阻位于栅齿结构的端部，所述金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜的正面形成欧姆接触，所述玻璃底座为与硅应变膜背面进行键合的打孔玻璃。2.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述硅衬底为N型100晶面的SOI硅片或N型硅晶圆。3.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：武斌，许克宇，
申请(专利权)人：深圳市美思先端电子有限公司，
类型：新型
国别省市：