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本实用新型公开了一种MEMS压阻式压力传感器,包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座,硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜,栅齿结构位于硅应变膜的...该专利属于深圳市美思先端电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市美思先端电子有限公司授权不得商用。
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