集成型压力传感薄膜和压力传感器制造技术

本申请提供了一种集成型压力传感薄膜和压力传感器，集成型压力传感薄膜包括主体，所述主体为半导体薄膜，所述半导体薄膜集成有：感测元件，所述感测元件包括用于压感检测的至少一个电阻器；以及信号处理电路，所述信号处理电路包括放大电路，所述放大电路的输入与所述电阻器耦接，输出可被识别的电信号。将感测元件和信号处理电路集成到一起，成为一个单元，后面直接连接系统主控处理器，大幅简化了系统方案，更简洁、紧凑、可靠；同时，尺寸小。尺寸小。尺寸小。

【技术实现步骤摘要】
集成型压力传感薄膜和压力传感器
[0001]本申请要求于2020年3月19日在美国专利局提交的、申请号为62/992,000、专利技术名称为“混合应变传感系统”的美国专利申请，以及于2020年8月11日在美国专利局提交的、申请号为63/064,086、专利技术名称为“新型混合传感系统”的美国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本申请属于压感
，尤其涉及一种集成型压力传感薄膜和压力传感器。

技术介绍

[0003]传统的压力检测传感器主要是金属应变片，这种压感应变片基于金属条的受压变形特性，因此具有温度不敏感，噪声低小的优点，但是缺点也是很明显的，就是Gauge factor,应变系数(GF)太小，用于一般应变片的铜镍合金和镍铬合金的应变系数GF大约为2。然而许多半导体晶体材料的GF值一般为20～200之间，远远大于金属应变片，更加适合做成高灵敏度的传感器，用于微小压力或变形检测领域。
[0004]所以近些年来基于半导体材料的各种应变片和压力检测传感器已经出现了许多商用产品，性能提高和成本价格降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成型压力传感薄膜，其特征在于：包括主体，所述主体为半导体薄膜，所述半导体薄膜集成有：感测元件，所述感测元件包括用于压感检测的至少一个电阻器；以及信号处理电路，所述信号处理电路包括放大电路，所述放大电路的输入与所述电阻器耦接，输出可被识别的电信号。2.如权利要求1所述的集成型压力传感薄膜，其特征在于：所述半导体薄膜包括硅(Si)薄膜、锗(Ge)薄膜，砷化镓(GaAs)薄膜、氮化镓(GaN)薄膜、碳化硅(SiC)薄膜、硫化锌(ZnS)薄膜、或者氧化锌(ZnO)薄膜中的至少一项。3.如权利要求1所述的集成型压力传感薄膜，其特征在于：所述半导体薄膜的厚度n＜70um，或n＜50um，或n＜30um，或n＜25um，或n＜20um，或n＜15um，或n＜10um。4.如权利要求1至3任一项所述的集成型压力传感薄膜，其特征在于：所述感测元件包括至少一个应变感应电阻；或者，所述感测元件包括一个应变感应电阻和一个定值电容串联或并联组成的RC电路；或者，所述感测元件包括一个应变感应电阻、一个定值电感和一个定值电容组成的谐振电路；或者，所述感测元件包括一个应变感应电阻与一个参考电阻串联形成的分压电路；或者，所述感测元件包括两个所述应变感应电阻串联形成的分压电路；或者，所述感测元件包括一个所述应变感应电阻与一个参考电阻并联形成的分流电路；或者，所述感测元件包括两个所述应变感应电阻并联形成的分流电路；或者，所述感测元件包括一个所述应变感应电阻与三个参考电阻电连接的惠斯通电桥；或者，所述感测元件包括两个所述应变感应电阻与两个参考电阻电连接形成的半桥电路；或者，所述感测元件包括四个所述应变感应电阻电连接形成的全桥电路；或者，所述感测元件包括三个所述应变感应电阻与一个参考电阻电连接形成的电桥电路。5.如权利要求1所述的集成型压力传感薄膜，其特征在于：所述感测元件包括四个电阻器，四个所述电阻器两两相互串联后并联，连个串联节点作为两个输出，两个并联节点作为输入连接电源；所述放大电路包括第一运算放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：李灏，余锦波，
申请(专利权)人：深圳纽迪瑞科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：