存储器装置及其控制方法制造方法及图纸

技术编号:31456428 阅读:17 留言:0更新日期:2021-12-18 11:22
提供一种存储器装置及其控制方法。本公开涉及一种存储器装置,其可以包括:多个存储器单元,其联接到所选字线,并且要被编程为基于存储器单元的阈值电压而彼此区分的第一编程状态至第n编程状态中的一种;感测锁存器,其存储从联接到一个存储器单元的位线感测的数据;预锁存器,其存储预验证信息;以及多个数据锁存器,其存储要存储在一个存储器单元中的数据,其中,至少一个数据锁存器在第一编程状态至第n编程状态中的第一编程状态至阈值编程状态的验证操作期间存储关于主验证电压的主验证信息,直到阈值编程状态的验证操作通过为止,并且其中,在阈值编程状态的验证操作通过之后,预锁存器存储关于第n编程状态的主验证信息。信息。信息。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其控制方法


[0001]各种实施方式总体上涉及一种存储器装置,更具体地,涉及一种包括页缓冲器的存储器装置和控制该存储器装置的方法。

技术介绍

[0002]存储装置可以响应于诸如计算机或智能电话的主机装置的控制而存储数据。存储装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。通常存在两种类型的存储器装置:易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置只要被供电就可以保留数据,并且在未供电的情况下可能丢失存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置甚至在未供电的情况下也可以保留数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存存储器。

技术实现思路

[0005]本公开的各种实施方式针对一种存储器装置和一种控制该存储器装置的方法,该存储器装置包括有限数量的高速缓存锁存器并且执行改进的高速缓存编程操作。
[0006]根据一个实施方式,一种存储器装置可以包括:多个存储器单元,其联接到所选字线,并且要被编程为基于存储器单元的阈值电压而彼此区分的第一编程状态至第n编程状态中的一种,其中,n是大于1的自然数;感测锁存器,其存储从联接到多个存储器单元中的一个存储器单元的位线感测的数据;预锁存器,其存储预验证信息,该预验证信息指示在第一编程状态至第n编程状态的验证操作期间是否要将比主验证电压具有更低电位电平的预验证电压施加到所选字线;以及多个数据锁存器,其存储要存储在一个存储器单元中的数据,其中,所述多个数据锁存器中的至少一个数据锁存器在第一编程状态至第n编程状态中的第一编程状态至阈值编程状态的验证操作期间存储关于主验证电压的主验证信息,直到阈值编程状态的验证操作通过为止,并且其中,在阈值编程状态的验证操作通过之后,预锁存器存储关于第n编程状态的主验证信息。
[0007]根据一个实施方式,一种存储器装置可以包括:多个存储器单元,其联接到所选字线,并且要被编程为基于存储器单元的阈值电压而彼此区分的第一编程状态至第n编程状态中的一种,其中,n是大于1的自然数;感测锁存器,其存储从联接到所述多个存储器单元中的一个存储器单元的位线感测的数据;预锁存器,其存储预验证信息,该预验证信息指示在第一编程状态至第n编程状态的验证操作期间是否要将比主验证电压具有更低电位电平的预验证电压施加到所选字线;多个数据锁存器,其存储要存储在一个存储器单元中的数据;以及控制逻辑,其在第一编程状态至第n编程状态中的第一编程状态至阈值编程状态的验证操作期间,在多个数据锁存器中的至少一个数据锁存器中存储关于主验证电压的主验
证信息,直到阈值编程状态的验证操作通过为止,并且在阈值编程状态的验证操作通过之后在预锁存器中存储关于第n编程状态的主验证信息。
[0008]根据一个实施方式,一种存储器装置的操作方法可以包括以下步骤:在存储器单元的第一编程状态至第n

1编程状态的预验证操作期间,在预锁存器中锁存关于存储器单元的第一编程状态至第n

1编程状态的预验证信息;在一个或更多个数据锁存器中锁存关于第一编程状态至第n

1编程状态的主验证信息,直到第一编程状态至第n

1编程状态的主验证操作通过为止;在第一编程状态至第n

1编程状态的主验证操作通过之后,在第n编程状态的主验证操作期间,在预锁存器中锁存关于第n编程状态的主验证信息,而不执行第n编程状态的预验证操作;以及基于预锁存器中锁存的主验证信息,对联接到存储器单元的一条或更多条位线进行预充电,其中,存储器单元联接到字线并且要被编程为第一编程状态至第n编程状态中的一种。
附图说明
[0009]图1是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置的框图;
[0010]图2是示出根据本公开的一个实施方式的存储器装置的框图;
[0011]图3是示出根据本公开的一个实施方式的存储器单元阵列的框图;
[0012]图4是示出根据本公开的一个实施方式的存储器块的图;
[0013]图5是示出根据本公开的一个实施方式的存储器块的图;
[0014]图6是示出根据本公开的一个实施方式的存储器块的图;
[0015]图7是示出根据本公开的一个实施方式的存储器单元的编程状态的框图;
[0016]图8是示出根据另一实施方式在编程操作期间施加到所选字线的电压的图;
[0017]图9是示出根据本公开的一个实施方式的高速缓存编程操作的图;
[0018]图10是示出根据本公开的一个实施方式的编程循环的图;
[0019]图11是示出根据本公开的一个实施方式对存储器单元进行编程的处理的图;
[0020]图12是示出根据本公开的一个实施方式的页缓冲器的图;
[0021]图13是示出根据本公开的一个实施方式的编程操作控制器的图;
[0022]图14是示出根据本公开的一个实施方式的存储在每个锁存器中的信息的图;
[0023]图15是示出根据本公开的一个实施方式的存储器装置的编程操作的流程图;
[0024]图16是示出根据本公开的一个实施方式的存储器装置的操作方法的流程图;
[0025]图17是示出根据本公开的一个实施方式的存储卡系统的图;
[0026]图18是示出根据本公开的一个实施方式的固态驱动器(SSD)系统的图;以及
[0027]图19是示出根据本公开的一个实施方式的用户系统的图。
具体实施方式
[0028]在下文中,在本公开的实施方式的上下文中提供了具体的结构描述和功能描述。然而,本专利技术可以以各种不同形式实现并且以各种不同方式实施。因此,本专利技术不限于任何公开的实施方式,也不限于本文提供的任何具体细节。
[0029]下面参照附图详细描述本公开的实施方式,以使本领域技术人员能够实践并容易地实现本专利技术。在整个说明书中,对“一个实施方式”或“另一实施方式”等的引用不一定仅
指一个实施方式,并且对任何这种短语的不同引用不一定指相同的实施方式。本文使用的术语“实施方式”不一定指所有的实施方式。
[0030]图1是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置1000的框图。
[0031]参照图1,存储装置1000可以包括存储器装置100和存储器控制器200。
[0032]存储装置1000可以被配置为响应于主机300的控制而存储数据。主机300的示例包括蜂窝电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、显示装置、平板PC和车载信息娱乐系统。
[0033]根据对应于与主机300的通信方法的主机接口,存储装置1000可以被制造或配置为各种类型的存储装置中的任何一种。例如,存储装置1000可以被配置为固态本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,该存储器装置包括:多个存储器单元,所述多个存储器单元联接到所选字线,并且要被编程为基于所述存储器单元的阈值电压而彼此区分的第一编程状态至第n编程状态中的一种,其中,n是大于1的自然数;感测锁存器,所述感测锁存器存储从与所述多个存储器单元中的一个存储器单元联接的位线感测的数据;预锁存器,所述预锁存器存储预验证信息,所述预验证信息指示在所述第一编程状态至所述第n编程状态的验证操作期间是否要将比主验证电压具有更低电位电平的预验证电压施加到所述所选字线;以及多个数据锁存器,所述多个数据锁存器存储要存储在所述一个存储器单元中的数据,其中,所述多个数据锁存器中的至少一个数据锁存器在所述第一编程状态至所述第n编程状态中的所述第一编程状态至阈值编程状态的验证操作期间存储关于所述主验证电压的主验证信息,直到所述阈值编程状态的验证操作通过为止,并且其中,在所述阈值编程状态的验证操作通过之后,所述预锁存器存储关于所述第n编程状态的主验证信息。2.根据权利要求1所述的存储器装置,该存储器装置还包括:编程状态确定器,所述编程状态确定器确定所述一个存储器单元的阈值电压是否已经达到所述阈值编程状态;以及页缓冲器控制器,所述页缓冲器控制器在所述多个数据锁存器之间移动数据。3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,当所述阈值编程状态的验证操作通过时,所述页缓冲器控制器将所述多个数据锁存器中的从外部装置接收数据的数据锁存器中所存储的数据移动到另一数据锁存器。4.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,当所述阈值编程状态的验证操作通过时,所述页缓冲器控制器将所述多个数据锁存器中的一个中所存储的所述主验证信息移动到所述预锁存器。5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,在所述阈值编程状态的验证操作通过之后,所述多个数据锁存器存储要存储到在所述一个存储器单元之后被选择的后续存储器单元中的后续数据。6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,当所述第n编程状态的验证操作通过时,将所述后续数据编程到所述后续存储器单元。7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述阈值编程状态是所述第一编程状态至所述第n编程状态中的第n

1编程状态。8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个数据锁存器中的一个数据锁存器是从控制所述存储器装置的存储器控制器接收数据的高速缓存锁存器。9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个存储器单元将通过多个编程循环被编程为所述第一编程状态至所述第n编程状态中的一种,并且其中,所述多个编程循环中的每一个包括用于对联接到所述一个存储器单元的位线进行预充电的预充电时段和用于感测所述位线的电位的感测时段。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,所述感测锁存器存储用于确定在所述预充电时段中所述位线要被预充电到的电位的预充电数据。11.一种存储器装置,该存储器装置包括:多个存储器单元,所述多个存储器单元联接到所选字线,并且要被编程为基于所述存储器单元的阈值电压而彼此区分的第一编程状态至第n编程状态中的一种,其中,n是大于1的自然数;感测锁存器,所述感测锁存器存储从与所述多个存储器单元中的一个存储器单元联接的位线感测的数据;预锁存器,所述预锁存器存储预验证信息,所述预验...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔亨进
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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