一种微机电光电探测芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微机电光电探测芯片。该微机电光电探测芯片包括：衬底；空气腔体，空气腔体位于衬底的第一表面，其中，空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，网状结构薄膜覆盖腔体，且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，腔体用于连通不同的释放孔，其中释放孔在垂直于衬底所在平面的截面尺寸大于或等于10微米，且小于或等于30微米；悬浮结构，悬浮结构位于衬底的第一表面，悬浮结构覆盖空气腔体，其中，在远离空气腔体的方向上，悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案，降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种微机电光电探测芯片


[0001]本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种微机电光电探测芯片。

技术介绍

[0002]微机电(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)光电探测芯片用于吸收预设波长的光信号，并将预设波长光信号转换为对应的电信号，在光电探测领域有广泛的应用。
[0003]MEMS热电堆红外传感器多采用硅片背面腐蚀技术形成封闭膜结构，方案是利用双面曝光技术设计底面图案，继而从背面刻蚀硅基底进一步得到封闭膜结构的热电堆红外芯片，该方法工艺复杂，需要面对准曝光，且对器件的大小和性能有局限性。所以，优选与CMOS 工艺兼容的正面释放技术，采用正面开口释放支撑膜结构。但值得注意的是，在正面释放技术之前，热电堆图案已经完成，通过开口自衬底正面腐蚀形成空腔的过程中，需要额外的保护措施，以保护器件的完整结构，但仍然会对热电堆图案造成破坏，不仅增加了制造难度，还加大了成本。此外，由于悬浮膜压应力的不均匀性，正面释放通常存在腐蚀不完全的问题，既会影响器件性能，也容易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微机电光电探测芯片，其特征在于，包括：衬底；空气腔体，所述空气腔体位于所述衬底的第一表面，其中，所述空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，所述网状结构薄膜覆盖所述腔体，且所述网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，所述腔体用于连通不同的所述释放孔，其中所述释放孔在垂直于所述衬底所在平面的截面尺寸大于或等于10微米，且小于或等于30微米；悬浮结构，所述悬浮结构位于所述衬底的第一表面，所述悬浮结构覆盖所述空气腔体，其中，在远离所述空气腔体的方向上，所述悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。2.根据权利要求1所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述网状结构薄膜临近所述腔体的表面设置有倒三角结构，所述衬底临近所述腔体的表面设置有正三角结构。3.根据权利要求1所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述释放孔的深度大于或等于所述衬底厚度的1/2，且小于或等于所述衬底厚度的2/3。4.根据权利要求1所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述释放孔在所述网状结构薄膜所在平面的截面形状为圆形或者多边形。5.根据权利要求4所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述释放孔在所述网状结构薄膜所在平面的截面形状为圆形，所述释放孔在所述网状结构薄膜围成多个同心圆环。6.根据权利要求5所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述释放孔的面积相同；或者，远离所述网状结构薄膜中心的释放孔的面积小于靠近所述网状结构薄膜中心的释放孔的面积。7.根据权利要求4所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述释放孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，胡维，李萍萍，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：