【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆表面处理的抛光设备
[0001]本技术涉及抛光机设备
,具体涉及一种用于晶圆表面处理的抛光设备。
技术介绍
[0002]在半导体行业中,将用于制作半导体集成电路的硅晶片称为晶圆,在晶圆加工的过程中,一般包括外围研磨、切片、研磨、蚀刻和抛光等步骤,其中抛光的过程,主要是通过抛光垫、抛光液和化学试剂的作用从晶圆基板去除材料的过程,其中抛光垫和抛光液是CMP工艺中主要的耗材。抛光垫(polishingpad)具有储存、运输抛光液、去除加工残余物质、传递机械载荷及维持抛光环境等功能,抛光垫的使用寿命严重影响CMP的成本。典型的抛光垫材质分为聚氨酯抛光垫,无纺布抛光垫等,其表面有一层多孔层,该层的暴露表面包含微孔,其可在CMP过程中存储抛光液并捕获由废抛光浆料组成的磨粉浆和从晶圆去除的材料。
[0003]在抛光不同的材料的时候,抛光液和晶圆材料会发生化学反应,当这一层材料抛光结束的时候,材料表面的颜色粗糙度等会发生变化。对于高级CMP机台,一般采用侦测末端电流变化来识别停止层;对于普通抛光机台来说,没有技术措 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆表面处理的抛光设备,其特征在于,包括:夹持件(1),用于夹持固定晶圆片;抛光盘(2),用于抵紧晶圆片的抛光面;一控制子系统,所述控制子系统包括:若干组数字化传感器(3),设置于夹持件(1)、抛光盘(2)的一侧,用于检测晶圆片的实时抛光量;第一执行件(4),与夹持件(1)相连接,用于控制夹持件(1)自转;第二执行件(5),与抛光盘(2)相连接,用于控制抛光盘(2)自转;控制端(6),与各数字化传感器(3)、第一执行件(4)及第二执行件(5)通信连接,将数字化传感器(3)检测的实时抛光量与对应的目标抛光量比对,并控制第一执行件(4)及第二执行件(5)动作。2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆表面处理的抛光设备,其特征在于,所述第一执行件(4)为第一驱动电机,所述第一驱动电机的输出轴与夹持件(1)的中轴固定连接。3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆表面处理的抛光设备,其特征在于,所述第二执行件(5)为第二驱动电机,所述第二驱动电机的输出轴与抛光盘(2)的中轴固定连接。4.根据权利要求3所述的一种用于晶圆表面处理的抛光设备...
【专利技术属性】
技术研发人员:山本晓,张海涛,刘良宏,许彬,庞博,
申请(专利权)人:无锡吴越半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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