非易失性存储器的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种非易失性存储器的形成方法，包括：在衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区；在高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层；在图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；在低压阱区的衬底上和ONO层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀高压阱区和cell区上的第二多晶硅层、ONO层和图案化的第一多晶硅层，以形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，且横截面积均相同；刻蚀低压阱区的衬底上的第二多晶硅层形成第三栅极，去除高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出第一栅极；在第三栅极的表面、第一栅极的表面和第二栅极的表面均形成接触孔。的表面均形成接触孔。的表面均形成接触孔。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种非易失性存储器的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器是现代电子技术中的关键组成之一，推动了现代社会的数字化、信息化发展。按照其保存数据时间的长短，大体上可分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器具有数据保持时间长、断电不丢失和低功耗的特点。非易失性电荷陷阱存储器是一种流行的固态存储器技术，因为它具有出色的数据存储性能和器件可扩展性。在现代电子技术中，从便携式电子系统到大型数据中心，非易失性电荷陷阱型存储器都发挥着非常重要的作用。
[0003]一般在1T cell NVM（non
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volatile memory，非易失性存储器）半导体芯片的制造工艺中，非易失性存储器分为低压阱区、高压阱区和cell区，cell区会用到Dual
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POLY (POLY
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ONO
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POLY)结构。由于其构造决定了多种半导体器件的形成，工艺复杂度非常高，对工艺整合的要求也相当高，想要找到合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区，所述低压阱区、高压阱区和cell区之间均使用浅沟槽隔离结构隔开；在所述高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层，所述图案化的第一多晶硅层露出所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；在所述图案化的第一多晶硅层上形成ONO层，所述ONO层还覆盖所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；在所述低压阱区的衬底上和所述ONO层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀所述第二多晶硅层、ONO层和第一多晶硅层，以在所述高压阱区和cell区的衬底上均形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极的横截面积均相同；刻蚀所述低压阱区的第二多晶硅层形成第三栅极，同时，去除所述高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出所述第一栅极；在所述第三栅极、第一栅极和第二栅极上均形成接触孔。2.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于， 在提供衬底之后，还包括在所述衬底上形成栅氧化层。3.如权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的方法包括：刻蚀所述栅氧化层和所述衬底形成沟槽，填充所述沟槽形成浅沟槽隔离结构。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟，曹秉霞，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：