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本发明提供了一种非易失性存储器的形成方法，包括：在衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区；在高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层；在图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；在低压阱区的衬底上和ONO层上形成第二多晶硅层；依...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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