一种非易失性存储器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的制备方法，属于集成电路技术领域。本发明专利技术的制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底中形成至少两个隔离结构，每个所述隔离结构的顶面高于所述衬底表面；采用等向性蚀刻在所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间形成一凹部；在所述衬底表面及所述衬底侧壁上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成栅极层，所述栅极层覆盖所述隧穿氧化层和所述凹部。本发明专利技术形成的栅极与衬底之间形成多个电流隧穿通道控制面，有效的提高了栅极对于电流隧穿通道的控制能力，减少漏电，提高了非易失性存储器的饱和电流。的饱和电流。的饱和电流。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器的制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种非易失性存储器的制备方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)是所有形式的固态存储器，其无须定期对存储器中存储的数据进行刷新。非易失性存储器包括所有形式的只读存储器(ROM)，如可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)，也包括电池供电的随机存取储存器(RAM)。随着器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，传统的基于电荷存储的非易失性存储器将面临物理与技术的极限。非易失性存储器随着工艺尺寸的不断微缩，短沟道效应SCE(short channel effect)影响加剧，导致栅极对电流通道的控制能力减弱，漏电增加，此外，受限于短沟道效应带来的负面影响会直接限制先进工艺的尺寸，从而无法获取更高集成度的产品。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种非易失性存储器的制备方法，解决了现有的非易失性存储器中栅极对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底中形成至少两个隔离结构，每个所述隔离结构的顶面高于所述衬底表面；采用等向性蚀刻在所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间形成一凹部；在所述衬底表面及所述衬底侧壁上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成栅极层，所述栅极层覆盖所述隧穿氧化层和所述凹部。2.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层包括层叠设置的浮栅层、介电层和控制栅层。3.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述凹部和所述衬底侧壁邻接的曲面的曲率半径与所述凹部和所述隔离结构侧壁邻接的曲面的曲率半径不相同。4.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层的形成步骤包括：在所述隧穿氧化层上形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述隧穿氧化层、所述凹部及所述隔离结构；平坦化所述浮栅层，暴露所述隔离结构的表面。5.根据权利要求4所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层的形成步骤还包括：在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张傲峰，李建财，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：