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本发明公开了一种非易失性存储器的制备方法，属于集成电路技术领域。本发明的制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底中形成至少两个隔离结构，每个所述隔离结构的顶面高于所述衬底表面；采用等向性蚀刻在所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间形...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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