可寻址测试芯片用开关电路及高密度可寻址测试芯片制造技术

本发明专利技术提供的可寻址测试芯片用开关电路，包括若干待测器件和若干开关，能通过控制所述开关的通断状态以选中指定的待测器件连通测试通路；相邻两个所述待测器件共享位于其中一个待测器件同一端的激励开关和感应开关；所述待测器件、其与相邻待测器件所共享的所述感应开关之间连接有中间开关。本发明专利技术的开关电路能够在测量选中的器件时，感应端仅有连接选中的待测器件的一端导通而另一端关断，解决了因共享开关而引入的绕线电阻误差，优化了共享电路在小电阻测量应用中精确度。本发明专利技术还提供的高密度可寻址测试芯片因具有本发明专利技术的可寻址测试芯片用开关电路而具有相应优势。试芯片用开关电路而具有相应优势。试芯片用开关电路而具有相应优势。

【技术实现步骤摘要】
可寻址测试芯片用开关电路及高密度可寻址测试芯片


[0001]本专利技术属于半导体设计和生产
，尤其涉及一种可寻址测试芯片用开关电路及相应的高密度可寻址测试芯片。

技术介绍

[0002]随着集成电路的设计规模不断扩大，单一芯片上的电子器件密度越来越大，而电子器件的特征尺寸越来越小。同时，集成电路工艺流程包含着很多复杂的工艺步骤，每一步骤都可能存在特定的工艺制造偏差，最终导致了集成电路芯片的成品率被降低。在可制造性设计的背景下，为了提高集成电路芯片的成品率，缩短成品率成熟周期，业界普遍采用基于特殊设计的测试芯片的测试方法对测试芯片进行测试来获取制造工艺和设计成品率改善所必需的数据。
[0003]可寻址测试芯片利用译码器和开关选择电路实现了多个测试结构共用焊盘的目的。基于先进工艺的要求，为了提高可寻址测试芯片的面积密度并尽可能保证测量精度，当前较好的做法中对相邻的待测器件（DUT）采用共享开关电路的方式来提高密度，该方法会因共享开关电路以及开关电路相关绕线电阻无法忽略而引入误差。若待测器件的电阻量级为开关电路绕线电阻的上千倍，则开关电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可寻址测试芯片用开关电路，其特征在于：包括若干待测器件和若干开关，能通过控制所述开关的通断状态以选中指定的待测器件连通测试通路；所述待测器件的两端分别设置有两个所述开关，连接所述待测器件同一端的两个所述开关分别是：用于连接激励焊盘的激励开关、用于连接感应焊盘的感应开关；相邻两个所述待测器件共享一个所述激励开关和一个所述感应开关，且共享的两个所述开关位于待测器件的同一端；所述待测器件、其和相邻待测器件所共享的所述感应开关之间，连接有一个中间开关。2.根据权利要求1所述的可寻址测试芯片用开关电路，其特征在于：连接所述待测器件同一端的所述激励开关和所述感应开关由同一个控制信号控制，同时导通或关断。3.根据权利要求1所述的可寻址测试芯片用开关电路，其特征在于：对于相邻两个所述待测器件，将与其中一个待测器件相连的所述中间开关设为第一开关；将与另外一个待测器件相连的所述中间开关设为第二开关；所述第一开关均连接到同一个第一控制信号；所述第二开关均连接到同一个第二控制信号；所述第一控制信号和所述第二控制信号为互补信号，用于控制开关的通断状态。4.根据权利要求3所述的可寻址测试芯片用开关电路，其特征在于：所述第二开关通过反相器后与所述第一开关连接到同一个控制信号输出端，实现所述第一控制信号和所述第二控制信号利用同一个控制信号输出端进行输出。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的可寻址测试芯片用开关电路，其特征在于：所述开关采用PMOS管、NMOS管或者传输门中的一种。6.高密度可寻址测试芯片，其特征在于：包括待测器件阵列、开关电路、寻址电路、计数器和若干焊盘；所述开关电路采用权利要求1
‑
5任一项所述的可寻址测试芯片用开关电路实现；所述待测器件阵列由若干待测器件形成，通过所述开关电路中的开关通断状态选中指定的所述待测器件与测试通路连通；所述寻址电路的输出端连接到所述开关电路的控制端，用于根据地址信号生成控制信号后提供给所述开关电路，进而控制所述开关电路中开关的通断；所述若干焊盘包括电源接入焊盘、时钟信号焊盘、复位信号焊盘和若干测试信号焊盘；所述电源接入焊盘用于对所述计数器、所述寻址电路和所述开关电路供电；所述测试信号焊盘包括激励焊盘和感应焊盘；所述计数器的输入端与时钟信号焊盘、复位信号焊盘连接，所述计数器的输出端连接到寻址电路的输入端；所述计数器用于向所述寻址电路提供地址信号，以及直接向所述开关电路提供所述控制信号。7.根据权利要求6所述的高密度可寻址测试芯片，其特征在于：所述待测器件阵列设置有两个以上，并通过同一个所述寻址电路向与所述待测器件阵列连接的所述开...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨璐丹，尤炎，潘伟伟，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：