本发明专利技术提供了一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，包括两个支撑底座，支撑底座上有第一反应罐和第二反应罐；第一反应罐的上端面设有密封套环上固定有端盖，端盖与连接管之间设有密封机构；第一反应罐与密封套环之间设有支撑机构，第一反应罐内设有用于对吸附剂进行预处理活化的预处理机构，第一反应罐与第二反应罐之间设有用于对吸附剂原料补充的补充机构，补充机构内设有用于保持补充机构补充气体过程中密封的卡合机构，本发明专利技术通过第一反应罐内对吸附剂惰性状态反应，实现吸附剂在进行活化处理前，对吸附剂在进行活性处理之前保持高于惰性状态的温度与活性，便于后续对吸附剂进行活化处理过程。行活化处理过程。行活化处理过程。
【技术实现步骤摘要】
一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置
[0001]本专利技术属于气体吸附剂活化装置
，具体涉及一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置。
技术介绍
[0002]电子气体是指用于半导体及相关电子产品生产的特种气体，应用范围十分广泛。在集成电路、平面显示器件和太阳能等电子工业生产环节中，从芯片生产到最后器件的封装，几乎每一步、每一个环节都离不开电子气体，因此电子气体堪称电子制造的“血液”。电子气体成本仅占IC材料总成本的5％
‑
6％，但是即使只是某一种特定杂质超标，都可能导致产品严重缺陷，甚至因为不合格气体的扩散，导致整个生产线被污染或报废。因此，电子气体的品质很大程度上决定了半导体器件性能的好坏，电子气体纯度每提高一个数量级，都会极大地推动半导体器件质的飞跃。
[0003]现有的吸附剂均具有一定的活性寿命，其在使用寿命结束后，便无法对高纯度电子气体继续起到吸附与约束的作用，因此吸附剂通常需要经过活化处理后才可实现循环多次使用；此外，现有的吸附剂活化装置在使用时，活化剂内原料的反应状态不一，在实际的活化处理过程中无法实现活化剂的活性统一，同样影响活化剂的循环使用，造成资源的浪费以及生产成本提高。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，包括两个支撑底座，其中一个所述支撑底座上固定连接有第一反应罐，另一个所述支撑底座上固定连接有第二反应罐；
[0006]所述第一反应罐的上端面设有密封套环，所述密封套环的上端面固定连接有端盖，所述端盖的中心位置贯穿滑动连接有连接管，所述端盖与连接管之间设有用于连接管滑动过程中限位及保持密封的密封机构；
[0007]所述第一反应罐与密封套环之间设有用于对密封套环限位与支撑的支撑机构，所述第一反应罐内设有用于对吸附剂进行预处理活化的预处理机构，所述第一反应罐与第二反应罐之间设有用于对吸附剂原料补充的补充机构，所述补充机构内设有用于保持补充机构补充气体过程中密封的卡合机构。
[0008]进一步的，所述密封机构包括固定连接在端盖下端面的限位盲管，所述限位盲管的侧壁上周向均匀的开设有多个进气口，所述限位盲管的内底面均匀的固定连接有多个缓冲杆，所述缓冲杆上套设有移动堵板，所述缓冲杆的顶端延伸至连接管内。
[0009]进一步的，所述支撑机构包括固定连接在第一反应罐的侧壁上的抵环，所述密封套环的下端面周向均匀的固定连接有多个限位杆，所述第一反应罐的侧壁周向上开设有多
个限位槽，所述限位槽延伸至抵环内，所述限位杆滑动连接在限位槽内。
[0010]进一步的，所述预处理机构包括固定连接在第一反应罐内侧壁上的混合管，所述混合管的侧壁周向开设有多个进气栅槽，所述第一反应罐的右侧侧壁上固定连接有分支管，所述混合管的下方设有过渡管，所述第一反应罐的内底部固定连接有加热槽，所述加热槽的右侧侧壁上设有连接口，所述连接口贯穿第一反应罐。
[0011]进一步的，所述补充机构包括固两端分别固定连接在第一反应罐与第二反应罐之间的输送管，所述输送管的侧壁上套设有支撑套管，所述支撑套管的上端面设有缺口，所述输送管的上端面固定连接有连通管，所述连通管的侧壁上固定连接有调节转盘。
[0012]进一步的，所述卡合机构包括转动连接在连通管上端面上的下配合管，所述下配合管内滑动连接有上配合管，所述下配合管的侧壁周向均匀开设有多个卡合槽，所述上配合管的侧壁周向固定连接有多个卡合板，所述卡合板与卡合槽相配合。
[0013]进一步的，所述第一反应罐与第二反应罐的前端侧壁上均固定连接有控制面板。
[0014]进一步的，所述第二反应罐上固定连接有电机座，所述电机座内固定连接有传动电机，所述第二反应罐内设有搅拌器，所述搅拌器的转动轴固定连接传动电机的输轴。
[0015]进一步的，所述第一反应罐与第二反应罐的侧壁上均设有观察窗。
[0016]本专利技术与现有技术相比具有以下优点：
[0017]1、通过第一反应罐内对吸附剂惰性状态反应，实现吸附剂在进行活化处理前，内部原料的惰性统一，保证吸附剂进行活化处理过程中的活性相同。
[0018]2、利用预处理以及预加热处理，对吸附剂在进行活性处理之前保持高于惰性状态的温度与活性，便于后续对吸附剂进行活化处理过程。
[0019]3、通过设置过渡管，利用吸附剂的流动特性，将活化原料通过输送管道流通混合的方式与吸附剂混合，提升吸附剂与活性原料的混合率以及混合效果，最终配合搅拌器确保吸附剂与原料的充分混合。
附图说明
[0020]图1为本专利技术整体结构主视结构示意图；
[0021]图2为本专利技术第一反应罐剖面结构示意图；
[0022]图3为本专利技术密封机构结构示意图；
[0023]图4为本专利技术进气口分布示意图；
[0024]图5为图2中A处结构放大示意图。
[0025]图中：1支撑底座、2第一反应罐、3密封套环、4限位槽、5限位板、6抵环、7连接管、8限位杆、9控制面板、10观察窗、11输送管、12支撑套管、13连通管、14调节转盘、15下配合管、16上配合管、17卡合板、18卡合槽、19混合罐、20安装底座、21传动电机、22混合管、23进气栅槽、24分支管、25过渡管、26加热槽、27进气口、28缓冲杆、29移动堵板。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]如图1
‑
5所示，本专利技术提供一种技术方案：一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，包括两个支撑底座1，其中一个所述支撑底座1上固定连接有第一反应罐2，另一个所述支撑底座1上固定连接有第二反应罐19；
[0028]所述第一反应罐2的上端面设有密封套环3，所述密封套环3的上端面固定连接有端盖，所述端盖的中心位置贯穿滑动连接有连接管7，所述端盖与连接管7之间设有用于连接管7滑动过程中限位及保持密封的密封机构。
[0029]所述密封机构包括固定连接在端盖下端面的限位盲管，所述限位盲管与连接管7相互扣合在一起，所述限位盲管的侧壁上周向均匀的开设有多个进气口27，所述限位盲管的内底面均匀的固定连接有多个缓冲杆28，所述缓冲杆28上套设有移动堵板29，通过压簧将限位盲管堵住，所述缓冲杆28的顶端延伸至连接管7内。
[0030]所述第一反应罐2与密封套环3之间设有用于对密封套环3限位与支撑的支撑机构。
[0031]所述支撑机构包括固定连接在第一反应罐2的侧壁上的抵环6，所述密封本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，其特征在于，包括两个支撑底座(1)，其中一个所述支撑底座(1)上固定连接有第一反应罐(2)，另一个所述支撑底座(1)上固定连接有第二反应罐(19)；所述第一反应罐(2)的上端面设有密封套环(3)，所述密封套环(3)的上端面固定连接有端盖，所述端盖的中心位置贯穿滑动连接有连接管(7)，所述端盖与连接管(7)之间设有用于连接管(7)滑动过程中限位及保持密封的密封机构；所述第一反应罐(2)与密封套环(3)之间设有用于对密封套环(3)限位与支撑的支撑机构，所述第一反应罐(2)内设有用于对吸附剂进行预处理活化的预处理机构，所述第一反应罐(2)与第二反应罐(19)之间设有用于对吸附剂原料补充的补充机构，所述补充机构内设有用于保持补充机构补充气体过程中密封的卡合机构。2.根据权利要求1所述的一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，其特征在于，所述密封机构包括固定连接在端盖下端面的限位盲管，所述限位盲管的侧壁上周向均匀的开设有多个进气口(27)，所述限位盲管的内底面均匀的固定连接有多个缓冲杆(28)，所述缓冲杆(28)上套设有移动堵板(29)，所述缓冲杆(28)的顶端延伸至连接管(7)内。3.根据权利要求1所述的一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，其特征在于，所述支撑机构包括固定连接在第一反应罐(2)的侧壁上的抵环(6)，所述密封套环(3)的下端面周向均匀的固定连接有多个限位杆(8)，所述第一反应罐(2)的侧壁周向上开设有多个限位槽(4)，所述限位槽(4)延伸至抵环(6)内，所述限位杆(8)滑动连接在限位槽(4)内。4.根据权利要求1所述的一种超高纯电子气体吸附剂的活化装置，其特征在于，所述预处理机构包括固定连接在第一反应罐(2)内侧壁上的混合管(22)，所述混合管(22)的侧壁周向开...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊华，林坤，孟祥军，王少波，马朝选，
申请(专利权)人：中船重工邯郸派瑞特种气体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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