集成电路性能分析方法、装置、仿真设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:31309150 阅读:16 留言:0更新日期:2021-12-12 21:34
本申请适用于集成电路技术领域,提供了一种集成电路性能分析方法、装置、仿真设备及存储介质,通过首先对目标电路进行较少次数的蒙地卡罗模拟,获得目标电路的模拟结果;然后对目标电路的模拟结果进行变异数分析,获得目标电路的变异数分析结果;再然后根据目标电路的变异数分析结果,确定目标电路中的关键器件,并根据预设乱数表对关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与关键器件的最差模拟结果对应的预设乱数表中的乱数组合;最后根据乱数组合对目标电路进行蒙地卡罗模拟,获得目标电路的最差模拟结果,并根据目标电路的最差模拟结果,获得目标电路的良率分析结果,可以有效节约对目标电路进行产业化验证时耗费的资源并降低成本。的资源并降低成本。的资源并降低成本。

【技术实现步骤摘要】
集成电路性能分析方法、装置、仿真设备及存储介质


[0001]本申请属于集成电路
,尤其涉及一种集成电路性能分析方法、装置、仿真设备及存储介质。

技术介绍

[0002]集成电路设计中的IP核(intellectual property core)核通常指应用在系统级芯片(System on Chip,SoC)中且具有特定功能的可复用(reusable)的电路模块,具有标准性和可交易性。通过产业化验证(sign off)的IP核可以被系统设计工程师直接植入集成电路。目前,对IP核进行产业化验证需要进行数百万次等级的高良率(high sigma)的蒙地卡罗(Monte Carlo)模拟,才能确保IP核的良率符合要求,需要耗费大量资源,成本较高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本申请实施例提供了一种集成电路性能分析方法、装置、仿真设备及存储介质,以解决目前对IP核进行产业化验证需要进行数百万次等级的高良率的蒙地卡罗模拟,才能确保IP核的良率符合要求,需要耗费大量资源,成本较高的问题。
[0004]本申请实施例的第一方面提供了一种集成电路性能分析方法,包括:
[0005]对目标电路进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的模拟结果,所述预设次数远小于符合高良率要求的蒙地卡罗模拟次数;
[0006]对所述目标电路的模拟结果进行变异数分析,获得所述目标电路的变异数分析结果;
[0007]根据所述目标电路的变异数分析结果,确定所述目标电路中的关键器件;
[0008]根据预设乱数表对所述关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与所述关键器件的最差模拟结果对应的所述预设乱数表中的乱数组合;
[0009]根据所述乱数组合对所述目标电路进行蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的最差模拟结果;
[0010]根据所述目标电路的最差模拟结果,获得所述目标电路的良率分析结果。
[0011]本申请实施例的第二方面提供了一种集成电路性能分析装置,包括:
[0012]第一模拟单元,用于对目标电路进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的模拟结果,所述预设次数远小于符合高良率要求的蒙地卡罗模拟次数;
[0013]第一分析单元,用于对所述目标电路的模拟结果进行变异数分析,获得所述目标电路的变异数分析结果;
[0014]确定单元,用于根据所述目标电路的变异数分析结果,确定所述目标电路中的关键器件;
[0015]第二模拟单元,用于根据预设乱数表,对所述关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与所述关键器件的最差模拟结果对应的所述预设乱数表中的乱数组合;
[0016]第三模拟单元,用于根据所述乱数组合对所述目标电路进行蒙地卡罗模拟,获得
所述目标电路的最差模拟结果;
[0017]第二分析单元,用于根据所述目标电路的最差模拟结果,获得所述目标电路的良率分析结果。
[0018]本申请实施例的第三方面提供了一种仿真设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现本申请实施例的第一方面提供的集成电路性能分析方法的步骤。
[0019]本申请实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被至少一个处理器执行时实现本申请实施例第一方面提供的集成电路性能分析方法的步骤。
[0020]本申请实施例的第一方面提供一种集成电路性能分析方法,通过对目标电路进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得目标电路的模拟结果,预设次数远小于符合高良率要求的蒙地卡罗模拟次数;对目标电路的模拟结果进行变异数分析,获得目标电路的变异数分析结果;根据目标电路的变异数分析结果,确定目标电路中的关键器件;根据预设乱数表对关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与关键器件的最差模拟结果对应的预设乱数表中的乱数组合;根据乱数组合对目标电路进行蒙地卡罗模拟,获得目标电路的最差模拟结果;根据目标电路的最差模拟结果,获得目标电路的良率分析结果,可以有效节约对目标电路进行产业化验证时耗费的资源并降低成本。
[0021]可以理解的是,上述第二方面至第四方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本申请实施例提供的集成电路性能分析方法的流程示意图;
[0024]图2是本申请实施例提供的静态随机存取存储器的IP核的电路结构;
[0025]图3是本申请实施例提供的对静态随机存取存储器的IP核的读出电流进行蒙地卡罗模拟的参数表;
[0026]图4是本申请实施例提供的集成电路性能分析装置的结构示意图;
[0027]图5是本申请实施例提供的仿真设备的结构示意图。
具体实施方式
[0028]以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0029]应当理解,当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、
步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0030]还应当理解,在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。
[0031]如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样,术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地,短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0032]另外,在本申请说明书和所附权利要求书的描述中,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路性能分析方法,其特征在于,包括:对目标电路进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的模拟结果,所述预设次数远小于符合高良率要求的蒙地卡罗模拟次数;对所述目标电路的模拟结果进行变异数分析,获得所述目标电路的变异数分析结果;根据所述目标电路的变异数分析结果,确定所述目标电路中的关键器件;根据预设乱数表对所述关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与所述关键器件的最差模拟结果对应的所述预设乱数表中的乱数组合;根据所述乱数组合对所述目标电路进行蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的最差模拟结果;根据所述目标电路的最差模拟结果,获得所述目标电路的良率分析结果。2.如权利要求1所述的集成电路性能分析方法,其特征在于,所述根据所述目标电路的变异数分析结果,确定所述目标电路中的关键器件,包括:根据所述目标电路的变异数分析结果中变异数的大小,确定所述目标电路中使得所述变异数不在变异数阈值范围内的关键器件。3.如权利要求1所述的集成电路性能分析方法,其特征在于,所述根据预设乱数表对所述关键器件进行符合高良率要求的蒙地卡罗模拟,获得与所述关键器件的最差模拟结果对应的所述预设乱数表中的乱数组合之前,包括:根据对所述关键器件的高良率要求确定所述预设乱数表。4.如权利要求1至3任一项所述的集成电路性能分析方法,其特征在于,所述对目标电路进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得所述目标电路的模拟结果,包括:对静态随机存取存储器的IP核的读出电流进行预设次数蒙地卡罗模拟,获得所述IP核的模拟读出电流。5.如权利要求4所述的集成电路性能分析方法,其特征在于,所述根据所述目标电路的变异数分析结果,确定所述目标电路中的关键器件,包括:根据所述IP核的模拟读出电流的变异数大小,确定所述IP核的驱动管、传输管和负载管中使得所述变异数不在变异数阈值范围内的关键器件。6.如权利要求4所述的集成电路性能分析方法,其特征在于,所述IP核包括第一传输管、第二传输管、第一驱动管、第二驱动管、第一负载管和第二负载管;所...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾健忠
申请(专利权)人:深圳天狼芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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