一种晶片承载盘制造技术

技术编号:31306942 阅读:36 留言:0更新日期:2021-12-12 21:25
一种晶片承载盘,包括多个凹槽;设于凹槽内的凸起结构,其中所述凸起结构是不对称的,凸起结构的凸起部分远离晶片承载盘的圆心。使得远离晶片承载盘圆心位置的衬底表面温度升高,即使得衬底凸起的位置温度与其他位置的温度分布基本相同,整个衬底表面受热更均匀,从而衬底上形成的外延晶片波长也更均匀,提高外延晶片质量。延晶片质量。延晶片质量。延晶片质量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘凯程凯
申请(专利权)人:苏州晶湛半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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