LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法技术

本发明专利技术提供了LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法。该LED芯片转移结构包括基片以及位于基片上的刚毛结构，刚毛结构设置于各支撑面上刚毛结构中的刚毛包括光敏性有机绝缘材料，刚毛结构用于通过累积的范德华力将芯片进行吸附。上述LED芯片转移结构是通过累积的范德华力将芯片进行吸附，避免了转移头多次使用而导致的寿命下降，同时还能够避免静电转移头上的充电现象对Micro LED的损伤；并且，由于形成上述刚毛结构的材料包括光敏性有机绝缘材料，从而仅通过光刻等工艺即能够得到，使得转移头的制备工艺更为简单。使得转移头的制备工艺更为简单。使得转移头的制备工艺更为简单。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法


[0001]本专利技术涉及芯片转移
，具体而言，涉及一种LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示作为下一代新型显示技术，具有亮度高、响应快、分辨率高等特点，受到了广泛的关注。为了中大尺寸(>8吋)显示器的量产，必须采用巨量转移技术，以便在不损坏Micro LED芯片的前提下将其从磊晶基板转移到相应的显示基板上。
[0003]但是目前的一些巨量转移技术却存在着一些缺点：
[0004](1)静电转移通过向由硅制成的静电转移头施加电压，使其与带电的Micro LED相粘附，从而达到芯片的转移；但是静电感应的过程中，施加在静电转移头的电压会导致充电现象，损坏粘附其上的Micro LED。
[0005](2)微转印技术利用粘性的聚合物将晶圆上的Micro LED转移到显示基板上，然而该聚合物的粘附力会因为使用次数的增加而下降，导致寿命受到影响，从而影响芯片转移效率。

技术实现思路

>[0006]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片转移结构，包括基片以及位于所述基片上的刚毛结构，其特征在于，所述刚毛结构中的刚毛包括光敏性有机绝缘材料，所述刚毛结构用于通过累积的范德华力将芯片进行吸附。2.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述光敏性有机绝缘材料为疏水性材料；或所述光敏性有机绝缘材料为亲水性材料，所述刚毛结构还包括覆盖所述刚毛表面的疏水性功能层。3.根据权利要求2所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述光敏性有机绝缘材料为亲水性材料，所述刚毛结构还包括覆盖所述刚毛表面的疏水性功能层，所述疏水功能层的厚度范围为50nm～100nm。4.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述光敏性有机绝缘材料为光刻胶，所述光刻胶的粘度小于24cps。5.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述刚毛结构的弹性模量为1GPa～15GPa。6.根据权利要求1所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述刚毛结构中各刚毛的直径范围在100nm～200nm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述刚毛结构中各刚毛的长径比为500～600。8.根据权利要求1至6中任一项所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述刚毛结构中相邻刚毛的间距大于所述刚毛的半径，且相邻所述刚毛的间距小于所述刚毛的直径。9.根据权利要求1至6中任一项所述的LED芯片转移结构，其特征在于，所述基片包括层叠的底板和支撑层，所述支撑层包括多个设置于所述底板上的支撑部，各所述支撑部具有远离所述底板一侧的支撑面，所述刚毛结构设置于各所述支撑面上。10.根据权利要求9所述的LED芯片转移结构，其特征在于，各所述支撑部在所述底板上呈阵列排布，所述支撑部的高度为5μm～10μm。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈启燊，秦快，郭恒，欧阳小波，谢宗贤，赵强，范凯亮，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：