【技术实现步骤摘要】
微发光二极管及其转移装置和转移方法
[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种微发光二极管及其转移装置和转移方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件，其发光远离为电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或微发光二极管(即Micro LED)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
[0003]其中，微发光二极管显示装置综合了TFT
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LCD和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化和阵列化，之后将微发光二极管从最初的生长衬底转运到电路基板上，目前，微发光二极管技术发展的难点之一就在于微发光二极管的转运过程。当前的转运/转移方法都多种，但普遍存在转移工艺复杂、...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：发光本体、电极和支撑体，沿垂直于所属支撑体所在平面的方向，所述发光本体位于所述支撑体和所述电极之间；所述发光本体在所述支撑体所在平面的正投影为第一投影，所述第一投影的面积小于所述支撑体的面积，且所述第一投影的边缘到所述支撑体的边缘的距离为d，其中d＞0。2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一投影的边缘与所述支撑体的边缘的距离相等。3.根据权利要求2所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管还包括半导体层，所述半导体层复用为所述支撑体。4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二级管还包括位于所述支撑体远离所述发光本体一侧的磁性层。5.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述磁性层为透明金属层。6.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述磁性层包括磁性块，所述磁性块在所述支撑体所在平面的正投影与所述发光本体在所述支撑体所在平面的正投影不交叠。7.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，沿平行于所述支撑体所在平面的方向上，所述第一投影的宽度与所述磁性块在所述支撑体所在平面正投影的宽度之和等于所述支撑体的宽度。8.一种微发光二极管的转移装置，其特征在于，包括转移基板，所述转移基板用于承载如权利要求1
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7中任意一项所述微发光二极管；所述转移基板包括多个开口和环绕所述开口的非开口，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述开口贯穿所述转移基板；一个所述微发光二极管对应一个所述开口，同一所述微发光二极管中，所述发光本体和所述电极位于所述开口中，所述支撑体位于所述开口的第一侧，沿平行于所述转移基板所在平面的方向，所述支撑体的宽度大于所述开口的宽度；在所述开口中，所述发光本体和所述电极与所述开口的内壁不交叠。9.根据权利要求8所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，同一所述开口包括与所述支撑体相邻的第一开口部和位于所述第一开口部远离所述支撑体一侧的第二开口部，所述第一开口部的内径小于所述第二开口部的内径。10.根据权利要求9所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，沿所述支撑体指向所述电极的方向，同一所述开口的内径呈增大的趋势。11.根据权利要求8所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，所述开口的内壁向与该开口对应的非开口的方向凸起。12.根据权利要求8所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括转移头，所述转移头包括转运基板、位于所述转运基板一侧的驱动电极、以及位于所述驱动电极背离所述转运基板一侧的多个转运单元；其中，所述驱动电极与所述转运单元电连接，使所述转运单元产生电磁力、或热能、或静电，以吸附位于所述转移基板上的所述微发光二极管。
13.根据权利要求8所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括转移头，所述转移头包括充气抽气装置，所述充气抽气装置包括腔体和与所述腔体连通的充气抽气通道，所述转移基板固定于所述腔体的开口部；当所述转移基板上承载有所述微发光二极管时，所述微发光二极管的电极位于所述腔体内。14.根据权利要求13所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，所述腔体中设置有多个升降部件，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述升降部件与所述转移基板的所述开口交叠。15.根据权利要求8所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括：位于所述非开口的所述第一侧且可移除的支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员：王仙翅，黄丹，赵旭，
申请(专利权)人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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