一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括：第一半导体层、活性层，第二半导体层、电流扩展层、电流阻挡层、第一电极、第二电极；其特征在于：所述电流阻挡层包括第一阻挡区和第二阻挡区，所述第二阻挡区位于第一阻挡区的外周，所述第二阻挡区的导热系数大于第一阻挡区的导热系数。本实用新型专利技术在电流阻挡层的第一阻挡区外周设置第二导热系数以及折射率较高的第二阻挡区，可以促进散热以及提高出光效率。高出光效率。高出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管


[0001]本技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]近些年来，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)半导体技术的发展由于技术的提升，使得芯片发光效率大幅提升，也因此增加在各方面的应用性，例如从投影笔到照明应用等，大幅增加了应用的范围。此外，LED也具有体积小、寿命长、低污染以及低成本等优点，在光学特性上更具有色彩饱和度佳以及动态色彩控制等特点，因此使得LED相关技术成为目前最受瞩目的技术。
[0003]发光二极管在发亮的时候，由于其发光二极管芯片会产生大量的热能，如果不将热能及时移除的话，则会降低发光二极管的发光效能及减短其使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种可以增加散热的发光二极管，具体为在电流阻挡层位置将产生的热量及时散掉。
[0005]为了达到上述的目的，本技术提供的一种发光二极管，包括：第一半导体层；第二半导体层；活性层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间；电流扩展层，位于所述第二半导体层上；电流阻挡层，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：第一半导体层；第二半导体层；活性层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间；电流扩展层，位于所述第二半导体层上；电流阻挡层，位于所述第二半导体层和电流扩展层之间；第一电极，与所述第一半导体层电性连接；第二电极，与所述第二半导体层电性连接；其特征在于：所述电流阻挡层包括第一阻挡区和第二阻挡区，所述第二阻挡区位于第一阻挡区的外周，所述第二阻挡区的导热系数大于第一阻挡区的导热系数。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡区由第一阻挡区外周的底部延伸至第一阻挡区与第二半导体层之间。3.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡区的折射率大于第一阻挡区的折射率。4.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡区的导热系数不小于1500 W/m.K。5.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡区的材料为金刚石，第一阻挡区的材料为硅基化合物。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡家豪，汪琴，周立，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：