复合材料及其制备方法、发光器件技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，尤其涉及一种复合材料的制备方法，包括步骤：在含卤素气体的氛围下，对石墨炔进行热卤化处理，得到卤化石墨炔；获取金属化合物溶液和卤化石墨炔的有机溶液，将所述卤化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理，得到卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料。本发明专利技术提供的复合材料的制备方法，操作简单，适用于工业化大规模生产和应用功能，卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料，提高了电子传输层的电子传输能力，促进电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高发光器件的光电性能。电性能。电性能。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法、发光器件


[0001]本专利技术属于显示器件
，尤其涉及一种复合材料及其制备方法，一种发光器件。

技术介绍

[0002]半导体量子点具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。
[0003]近年来，无机半导体作为电子传输层成为比较热的研究内容。纳米ZnO、ZnS等半导体材料是宽禁带半导体材料，由于具有量子限域效应、尺寸效应和优越的荧光特性等优点而吸引了众多研究者的目光。其中，ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV的低功函，这种能带结构特点决定了ZnO可成为合适的电子传输层材料。另外，ZnS是
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族半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度(3.62eV)化学性质稳定，资源丰富，价格便宜等特点。因此，在近十几年里，ZnO、ZnS
Ⅱ-Ⅵ
等导体纳米材料已经在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在含卤素气体的氛围下，对石墨炔进行热卤化处理，得到卤化石墨炔；获取金属化合物溶液和卤化石墨炔的有机溶液，将所述卤化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理，得到卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料。2.如权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，对石墨炔进行热卤化处理的步骤包括：在无水无氧，温度为250℃～350℃，含卤素气体的氛围下，对所述石墨炔热处理1～2小时，得到卤化石墨炔；和/或，所述含卤素气体的氛围包括：卤素气体和保护气体。3.如权利要求2所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述含卤素气体的氛围包括体积百分含量为：5％～10％的卤素气体和90～95％的保护气体；和/或，所述卤素气体选自：氟气、氯气、溴气中的至少一种；和/或，所述保护气体选自：氮气、氩气、氦气中的至少一种。4.如权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，获取金属化合物溶液的步骤包括：在温度为60℃～90℃的条件下，将金属盐与碱性物质或硫源混合溶解于第一有机溶剂后，混合处理4～6小时，得到金属化合物溶液；和/或，将所述卤化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理的步骤包括：在温度为60℃～80℃的搅拌条件下，将所述卤化石墨炔的有机溶液添加到所述金属化合物溶液后，反应1～2小时，分离得到卤化石墨炔掺杂金属化合物的所述复合材料。5.如权利要求4所述的复合材料的制备方法，其特征在于，将金属盐与碱性物质混合溶解于第一有机溶剂后的体系中，pH值为12～13；和/或，将金属盐与碱性物质混合溶解于第一有机溶剂后的体系中，金属离子与所述碱性物质的摩尔比为1：(1.8～4.5)；或者将金属盐与硫源混合溶解于第一有机溶剂后的体系中，金属离子与所述硫源的摩尔比为1：(1～1.5)；和/或，将所述卤化石墨炔的有机溶液添加到所述金属化合物溶液后的体系中，所述卤化石墨炔与所述金属化合物的摩尔比为...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斯纳，吴龙佳，吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：