半导体封装制造技术

一种半导体封装，包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件，该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽，其中，第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度，并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。的一部分竖直地重叠。的一部分竖直地重叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月3日在韩国知识产权局提交的题为“半导体封装”的韩国专利申请No.10
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2020
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0067277的优先权，其通过引用整体并入本文。


[0003]实施例涉及半导体封装。

技术介绍

[0004]集成电路芯片可以以半导体封装的形式实现，以便适当地应用于电子产品。在典型的半导体封装中，半导体芯片可以安装在印刷电路板(PCB)上，并且可以通过接合线或凸块电连接到PCB。随着电子产业的发展，已经研究了用于提高半导体封装的可靠性和耐用性的各种技术。

技术实现思路

[0005]在一方面，一种半导体封装可以包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间设置有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件。散热构件可以包括设置在散热构件的内顶表面中的第一沟槽，第一沟槽可以与间隙区域竖直地重叠并且宽度可以大于间隙区域的宽度。第一沟槽可以与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分中的至少一个竖直地重叠。
[0006]在另一方面，一种半导体封装可以包括：封装基板；设置在封装基板上的中介层基板；安装在中介层基板上并且彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间设置有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构、中介层基板和封装基板并且粘附到封装基板的顶表面的散热构件。散热构件可以包括设置在散热构件的内顶表面中的第一沟槽，第一沟槽可以与间隙区域重叠并且宽度可以大于间隙区域的宽度。第一沟槽可以与第一芯片结构的顶表面的一部分和第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。散热构件可以在与第一沟槽间隔开的部分处具有第一厚度，并且第一沟槽的深度可以在第一厚度的1/3至2/3的范围内。
[0007]在另一方面，一种半导体封装可以包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间设置有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件。散热构件可以包括与间隙区域重叠并且宽度大于间隙区域的宽度的第一沟槽。散热构件可以包括三个第一外角和一个第二外角，并且第二外角的形状可以与第一外角的形状不同。
附图说明
[0008]通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易
见，在附图中：
[0009]图1是示出了根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0010]图2是根据一些实施例的沿图1的线A
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A
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的截面图。
[0011]图3A，图3B和图3C是根据一些实施例的图2的部分P1的放大视图。
[0012]图4A，图4B和图4C是根据一些实施例的图2的部分P1的放大视图。
[0013]图5是示出了根据一些实施例的在第一芯片结构和第二芯片结构之间的结构的透视图。
[0014]图6是示出了制造具有图2的截面的半导体封装的过程的截面图。
[0015]图7是示出了根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0016]图8是示出了根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0017]图9是根据一些实施例的沿图8的线A
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A
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的截面图。
[0018]图10是根据一些实施例的沿图8的线A
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A
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的截面图。
[0019]图11是示出了根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0020]图12是示出了根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0021]图13是示出了根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0022]图14是示出了根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0023]图15是根据一些实施例的沿图14的线A
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A
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的截面图。
具体实施方式
[0024]图1是示出了根据一些实施例的半导体封装的平面图。图2是沿图1的线A
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A
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的截面图，并且图3A至图3C是根据一些实施例的图2的部分P1的放大图。
[0025]参照图1和图2，根据本示例实施例的半导体封装100可以包括第一基板10。第二基板30可以安装在第一基板10上。第一芯片结构50和至少一个第二芯片结构60可以安装在第二基板30上，并且可以沿第一方向X布置，例如，第一芯片结构50和至少一个第二芯片结构60可以沿第一方向X彼此相邻(图1和图2)。如果设置多于一个的第二芯片60，例如，当设置两个第二芯片结构60时，则第二芯片结构60可以沿第二方向Y布置，例如，两个第二芯片结构60可以沿第二方向Y彼此相邻(图1)。
[0026]如图1和图2进一步所示，散热构件80可以覆盖第一芯片结构50、第二芯片结构60、第二基板30和第一基板10。可以在散热构件80的底表面和第一基板10之间插入粘合层82。第一热界面材料层70a可以插入在散热构件80和第一芯片结构50之间，并且第二热界面材料层70b可以插入在散热构件80和每个第二芯片结构60之间。
[0027]例如，第一基板10可以是印刷电路板(PCB)。第一基板10可以被称为封装基板。第一基板10可以包括：第一芯部11；设置在第一芯部11的顶表面上的第一基板上部导电图案13；覆盖第一芯部11的顶表面的第一基板上部保护层17；设置在第一芯部11的底表面上的第一基板下部导电图案15；以及覆盖第一芯部11的底表面的第一基板下部保护层19。第一基板上部导电图案13可以电连接到第一基板下部导电图案15。外部连接端子22可以结合到第一基板下部导电图案15。外部连接端子22可以是焊球。外部连接端子22可以包括锡或铅中的至少一种。
[0028]第一芯部11可以包括但不限于以下至少一种：热固性树脂(例如，环氧树脂)、热塑
性树脂(例如，聚酰亚胺)、通过用增强材料(例如，玻璃纤维和/或无机填料)浸渍热固性树脂或热塑性树脂而获得的树脂(例如，预浸料)或光固化树脂。第一基板上部保护层17和第一基板下部保护层19可以是光敏阻焊(PSR)层。光敏阻焊剂(PSR)可以包括光敏聚合物。光敏聚合物可以包括例如光敏聚酰亚胺(PSPI)、聚苯并恶唑(PBO)、酚聚合物或苯并环丁烯基聚合物(BCB)中的至少一种。光敏阻焊剂(PSR)还可以包括无机填料。第一基板上部导电图案13和第一基板下部导电图案15可以包括例如铜、铝或金中的至少一种。
[0029]第二基板30可以被称为中介层基板。第二基板30可以包括：第二芯部31；设置在第二芯部31的顶表面上的第二基板上部导电图案37；覆盖第二芯部31的顶表面的第二基板上部保护层33；设置在第二芯部31的底表面上的第二基板下部导电图案39；以及覆盖第二芯部31的底表面的第二基板下部保护层35。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：第一基板；在所述第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在所述第一芯片结构和所述第二芯片结构之间限定有间隙区域；以及覆盖所述第一芯片结构、所述第二芯片结构和所述第一基板的散热构件，所述散热构件在所述散热构件的内顶表面中包括第一沟槽，其中，所述第一沟槽与所述间隙区域竖直地重叠，并具有比所述间隙区域的宽度大的宽度，并且其中，所述第一沟槽与所述第一芯片结构的顶表面的一部分或所述第二芯片结构的顶表面的一部分中的至少一个竖直地重叠。2.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：在所述第一芯片结构和所述散热构件之间的第一热界面材料层，所述第一热界面材料层延伸以与所述第一沟槽的第一内侧壁接触；以及在所述第二芯片结构和所述散热构件之间的第二热界面材料层，所述第二热界面材料层延伸以与所述第一沟槽的第二内侧壁接触，并且所述第一热界面材料层与所述第二热界面材料层间隔开。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一沟槽的内顶表面的至少一部分不与所述第一热界面材料层和所述第二热界面材料层接触，而是被暴露。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述散热构件在与所述第一沟槽间隔开的位置处具有第一厚度，所述第一沟槽距所述散热构件的内顶表面具有第一深度，并且所述第一深度在所述第一厚度的1/3至2/3的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一沟槽距所述散热构件的内顶表面具有第一深度，与所述第一沟槽重叠的所述第一芯片结构的顶表面具有比所述第一沟槽的第一深度小的第一宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一沟槽包括：第一沟槽侧壁；以及入口部分，在所述入口部分处所述第一沟槽侧壁与所述散热构件的内顶表面相遇，所述入口部分的截面为直角的、圆形的或阶梯形的。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，当在平面图中观察时，所述散热构件包括三个圆角和一个具有刻面的刻面角。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述第一芯片结构包括：与所述第二芯片结构相邻的第一芯片侧壁，所述第一沟槽与所述第一芯片侧壁重叠，以及与所述第一芯片侧壁相对的第二芯片侧壁，并且所述散热构件还包括在所述散热构件的内顶表面中的第二沟槽，所述第二沟槽与所述第二芯片侧壁重叠。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中：所述散热构件包括在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的第一内部突起，所述第一内
部突起在第一方向上具有第一宽度，并且所述第一芯片结构在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述散热构件还包括从与所述内顶表面相对的外顶表面向上突出的第一鳍部，所述第一鳍部与所述第一沟槽重叠。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述散热构件的外顶表面是不平坦的，所述散热构件在与所述第一沟槽间隔开的位置处具有第一厚度，并且在所述第一沟槽上具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳孝昌，金喆禹，柳周铉，李相贤，崔允硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：