量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。所述量子点材料，包括：量子点本体，连接于所述量子点本体的多臂聚醚类结构；所述多臂聚醚类结构包括至少三个链主体结构，各所述链主体结构的一端连接于同一第一原子，部分所述链主体结构的另一端通过连接结构与所述量子点本体连接，部分所述链主体结构的另一端连接有功能基团，所述功能基团在预设条件下发生交联反应，以使不同所述量子点本体之间发生交联。述量子点本体之间发生交联。述量子点本体之间发生交联。

【技术实现步骤摘要】
量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)作为最具有潜力的下一代自发光显示技术，与有机发光显示技术先比，QLED具有能耗更低、色纯度更高、色域更广等突出优势，而QLED亚像素区域的精确制备是实现高分辨率显示器件的前提。
[0003]但现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种量子点材料，包括：量子点本体，连接于所述量子点本体的多臂聚醚类结构；所述多臂聚醚类结构包括至少三个链主体结构，各所述链主体结构的一端连接于同一第一原子，部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点材料，其特征在于，包括：量子点本体，连接于所述量子点本体的多臂聚醚类结构；所述多臂聚醚类结构包括至少三个链主体结构，各所述链主体结构的一端连接于同一第一原子，部分所述链主体结构的另一端通过连接结构与所述量子点本体连接，部分所述链主体结构的另一端连接有功能基团，所述功能基团在预设条件下发生交联反应，以使不同所述量子点本体之间发生交联。2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述功能基团包括以下之一：
巯基；马来酰亚胺基；氨基；琥珀酰亚胺酯基；异硫氰酯基；氨基；马来酰亚胺基；四氟苯酯基；磺化四氟苯酯基；羧基；联胺基；羟胺基；碳二亚胺基；其中，R1表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团；R2表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团；R3表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团。3.如权利要求1或2所述的量子点材料，其特征在于，所述链主体结构包括：链主体部，以及第二原子，所述链主体部通过所述第二原子与所述第一原子连接。4.如权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述链主体部包括：聚氧化乙烯，或者聚甲醛；所述第一原子包括：C；所述第二原子包括：O；所述连接结构包括以下之一：
‑
R4
‑
OH
‑
；
‑
R4
‑
SH
‑
；
‑
R4
‑
COOH
‑
；
‑
R4
‑
NH2
‑
；
‑
R4
‑
P
‑
；
‑
R4
‑
PO
‑
；其中，R4表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团，R4为与所述链主体结构连接的一端。5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包括以下之一：5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包括以下之一：5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包括以下之一：其中，n为≥2的整数。6.一种采用如权利要求1
‑
5任一项所述的量子点材料形成的图案化量子点膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卓，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：