低氧化铌、其制造方法和含有它的电容器技术

本发明专利技术涉及生产近似组成为ＮｂＯ的低氧化铌的方法，该低氧化铌特别适合于固体电解质电容器阳极的生产。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造近似组成为NbO的低氧化铌的方法，该低氧化铌特别适合于固体电解质电容器阳极的生产。
技术介绍
固体电解质电容器具有非常大的有效电容器表面积，因而具有较小的整体结构，适合用于移动通信电子器件，其主要是具有应用于相应导电基底上的铌或钽的五氧化物阻挡层的电容器，并且其利用了这些化合物(“阀金属”)的稳定性、相对高的介电常数以及通过电化学方法可以制造出层厚非常均匀的绝缘五氧化物层的事实。所用的基底是金属或相应五氧化物的导电的低氧化物(低氧化物)前体。基底，其同时构成了电容器电极(阳极)，包含通过烧结那些已经是类海绵状形式的极细微粒初级或次级结结构而产生的高度多孔的、类海绵状的结构。基底结构的表面被电解氧化(“成形”)来产生五氧化物，且五氧化物层厚度由最大的电解氧化电压(“成形电压”)确定。反电极通过向类海绵状结构注入硝酸锰而制得，硝酸锰加热转变成二氧化锰，或者注入聚合物电解质的液态前体并接着进行聚合。对电极的电接触一方面由在基底结构制造过程中烧结而成的钽或铌金属线来产生，另一方面由对所述金属线绝缘的金属电容器护层构成。电容器电容通过下列方程计算C＝(F·ε)/(d·本文档来自技高网...

【技术保护点】
生产ＮｂＯ↓［ｘ］的方法，其中０．７＜ｘ＜１．３，优选０．９＜ｘ＜１．１５，特别优选１＜ｘ＜１．０５，该方法通过将ＮｂＯ↓［ｙ］与化学计量数的金属铌在氢的存在下进行反应，其中１．８＜ｙ＜２．１，优选１．９＜ｙ＜２，来生产所述的ＮｂＯ↓［ｘ］。

【技术特征摘要】
DE 2003-7-22 10333156.51.生产NbOx的方法，其中0.7＜x＜1.3，优选0.9＜x＜1.15，特别优选1＜x＜1.05，该方法通过将NbOy与化学计量数的金属铌在氢的存在下进行反应，其中1.8＜y＜2.1，优选1.9＜y＜2，来生产所述的NbOx。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，反应的温度和时间按照使反应基本完全发生的方式来选择。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，反应的温度是900℃-1600℃，以及反应的时间是0.5-4小时。4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，起始物质铌的二氧化物NbOy是通过通入氢还原五氧化二铌而产生的。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述还原是在1000℃-1600℃的温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：C施尼特尔，
申请(专利权)人：HC施塔克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]