介电陶瓷组合物和陶瓷电子元件制造技术

一种介电陶瓷组合物包含１００重量份由ａ［（Ｓｒ↓［ｂ］Ｃａ↓［１－ｂ］）ＴｉＯ↓［３］］－（１－ａ）［Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］］表示的主要组分，其中ａ和ｂ为摩尔量，和ｎ为ＴｉＯ↓［２］与Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］的摩尔比；ｗ重量份的ＭｇＴｉＯ↓［３］；ｘ重量份的ＳｉＯ↓［２］；ｙ重量份的ＭｎＯ↓［ｍ］（等量的ＭｎＣＯ↓［３］）；和ｚ重量份的ＬｎＯ↓［ｋ］，其中ｍ为１至２；Ｌｎ为镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，镝，钬和铒中的至少一种；且ｋ为１．５至２，以便ＬｎＯ↓［ｋ］为电中性的，其中ａ，ｂ，ｎ，ｗ，ｘ，ｙ和ｚ满足关系式：０．９０≤ａ≤０．９５，０．９０≤ｂ≤０．９５，１．８≤ｎ≤３．０，５．０≤ｗ≤１０．０，０．１≤ｘ≤１．０，０．１≤ｙ≤０．３，和１．０≤ｚ≤５．０。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及介电陶瓷组合物，并且具体而言，涉及一种显示高介电常数的介电陶瓷组合物。它还涉及一种用该介电陶瓷组合物制成的陶瓷电子元件。
技术介绍
BaTiO3陶瓷被广泛用作高介电常数的陶瓷组合物。然而，BaTiO3陶瓷在高频率，即1MHz或以上时显示低Q值。为了克服这个问题，日本未审查专利申请公开 62-295304中教导了一种SrTiO3-MgTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2-CuO-MnO-CeO2陶瓷组合物。尽管这种组合物具有高介电常数ε和在1MHz或以上的频率时高Q，且介电常数相对于温度变化显示微小变化，但体积电阻率仅为1012至1013欧姆·厘米，其不足够高。
技术实现思路
专利技术概述本专利技术的一个目的提供具有高介电常数ε和在1MHz或以上频率时Q值至少约为1,000的介电陶瓷组合物，其介电常数相对于温度变化经受微小的变化且显示高体积电阻率。本专利技术的另一个目的是提供一种用该介电陶瓷组合物制成的陶瓷电子元件。本专利技术的第一方面是提供一种介电陶瓷组合物，该组合物包含100重量份的由通式a[(SrbCa1-b)TiO3]-(l-a)[Bi2O3·nTiO2]本文档来自技高网...

【技术保护点】
介电陶瓷组合物，其包含：　　　　１００重量份的由通式ａ［（Ｓｒ↓［ｂ］Ｃａ↓［１－ｂ］）ＴｉＯ↓［３］］－（１－ａ）［Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］］表示的主要组分，其中ａ和ｂ为各自的摩尔量，和ｎ为ＴｉＯ↓［２］与Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］的摩尔比；　　　　ｗ重量份的ＭｇＴｉＯ↓［３］；　　　　ｘ重量份的ＳｉＯ↓［２］；　　　　ｙ重量份的ＭｎＯ↓［ｍ］（计算出作为等量的ＭｎＣＯ↓［３］）；和　　　　ｚ重量份的ＬｎＯ↓［ｋ］，　　　　其中ｍ为１至２；Ｌｎ为镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，镝，钬和铒中的至少一种；且ｋ为１．５至２，以便ＬｎＯ↓［ｋ］为电中性的，　　　　其中ａ，ｂ，ｎ，ｗ，ｘ，ｙ和...

【技术特征摘要】
JP 2003-7-24 2003-2012791.介电陶瓷组合物，其包含100重量份的由通式a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1-a)[Bi2O3·nTiO2]表示的主要组分，其中a和b为各自的摩尔量，和n为TiO2与Bi2O3的摩尔比；w重量份的MgTiO3；x重量份的SiO2；y重量份的MnOm(计算出作为等量的MnCO3)；和z重量份的LnOk，其中m为1至2；Ln为镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，镝，钬和铒中的至少一种；且k为1.5至2，以便LnOk为电中性的，其中a，b，n，w，x，y和z满足以下条件0.90≤a≤0.95，0.90≤b≤0.95，1.8≤n≤3.0，5.0≤w≤10.0，0.1≤x≤1.0，0.1≤y≤0.3，和1.0≤z≤5.0。2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中0.91≤a≤0.95，0.92≤b≤0.95，1.8≤n≤2.5，7.0≤w≤9.5，0.2≤x≤0.5，和2.0≤z≤3...

【专利技术属性】
技术研发人员：伴野晃一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]