超高介电常数多层陶瓷电容器介质及其制备方法技术

一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质，其特征在于，其原料组分及重量百分比含量为：ＢａＴｉＯ↓［３］１００％，外加３～４％Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］、０．３～０．５％ＭｇＣＯ↓［３］、０．１～０．２％ＭｎＣＯ↓［３］、１８～２２％Ａｇ↓［２］Ｏ和１０～１３％玻璃粉，以及０．２～０．７％稀土氧化物Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｈｏ↓［２］Ｏ↓［３］的其中一种；所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为：１０～３０％Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］、２０～３０％Ｐｂ↓［３］Ｏ↓［４］、２０～３０％ＺｎＯ、１０～２０％ＴｉＯ↓［２］、１０～２０％Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于电子元器件的，特别涉及一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质材料及其 制备方法。
技术介绍
随着无线电通信技术、卫星广播通信、卫星地面接受系统、航空与航天技术的飞跃发展， 要求研制性能更优、体积更小、频带更宽的电子设备。构成这些电子设备的元器件要求小型 化、微型化、轻量化和片式化，以适应电子元件的表面贴装技术(SMD)的需要。在各类电 子元器件中多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors,简称MLCC)则是应用最广 的一类片式元件。在结构和工艺条件(包括电极面积、叠层数目和介质膜厚度)确定的情况 下，MLCC的容量大小主要由MLCC材料的介电常数e确定。因此提高介电常数是M1XC实现 微小型化的关键。近年来，国内外对X7R陶瓷电容器介质材料进行了广泛的研究(根据美国电子工业协会 EIA标准X代表工作温区的低温极限-55°C， 7代表工作温区的高温极限+125°C， R代表 在工作温区内所有温度点的电容量相对于室温25°。时的变化率小于或等于±15%)，其中以 BaTi03为基的陶瓷材料在生产和应用中都不会对环境产生污染，制得的陶瓷介电性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质，其特征在于，其原料组分及重量百分比含量为：ＢａＴｉＯ↓［３］１００％，外加３～４％Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］、０．３～０．５％ＭｇＣＯ↓［３］、０．１～０．２％ＭｎＣＯ↓［３］、１８～２２％Ａｇ↓［２］Ｏ和１０～１３％玻璃粉，以及０．２～０．７％稀土氧化物Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｈｏ↓［２］Ｏ↓［３］的其中一种；所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为：１０～３０％Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］、２０～３０％Ｐｂ↓［３］Ｏ↓［４］、２０～３０％ＺｎＯ、１０～２０％ＴｉＯ↓［２］、１０～２０％Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］。

【技术特征摘要】
1.一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质，其特征在于，其原料组分及重量百分比含量为BaTiO3100％，外加3～4％Nb2O5、0.3～0.5％MgCO3、0.1～0.2％MnCO3、18～22％Ag2O和10～13％玻璃粉，以及0.2～0.7％稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O3的其中一种；所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为10～30％Bi2O3、20～30％Pb3O4、20～30％ZnO、10～20％TiO2、10～20％H3BO3。2. 根据权利要求1的超高介电常数多层陶瓷电容器介质，其特征在于，所述原料组分及 重量百分比含量为BaTiQ3为10(^ ，外加3. 5%的NbA、 0, 4%的MgC03、 0. 15%的MnC03、 20% 的Ag20和12W的玻璃粉，及0.4%的稀土氧化物0山03;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含 量为20 W的BiA、 28免的PW)4、 22W的ZnO、 17%的Ti02、 13%的^303。3. 权利要求1的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法，步骤如下(1) 将BaTi03粉料进行预处理，在1050 110(TC下预烧3h，得到超细BaTi03粉料；(2) 按BaTi03重量百分比含量为100%计，夕卜力卩3 4% Nb205、 0. 3 0. 5% MgC03、 0. l 0. 2% MnC03、 18~22% Ag20和10 13%玻璃粉，以及0. 2 0. 7%稀土氧化物Y203 、 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，张平，王瓛，王洪茹，张志萍，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12