磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器制造技术

本实用新型专利技术提供一种磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其结构是由铁芯和绕组组成，铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯外套装绕组，绕组是由（Ｌ１）－（Ｌ６）组成，其中（Ｌ１）和（Ｌ５）线头并接，（Ｌ４）和（Ｌ６）线尾并接，（Ｌ１）、（Ｌ２）的中间接点接可控硅（Ｔ１）的阳极形成整流电路，（Ｌ３）、（Ｌ４）的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，（Ｌ２）的尾端、（Ｌ６）的首端、（Ｌ３）的首端、（Ｌ５）的尾端并接续流二极管的阳极，可控硅的阴极与续流二极管的负极并接。使用本实用新型专利技术的电抗器可使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低，具有高可靠性、成本低和易于加工的优点。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种可控电抗器，具体是磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器， 属于电网和输变电设备节能控制领域。技术背景随着超高压大电网的形成和城市电网中电缆线路剧增，电网中的无功功率变 化和电压波动等问题日益突出，实施无功功率动态平衡和电压波动的动态抑制、 加强电网谐波治理、抑制超高压输电长线路末端电压升高和减少线路单相接地时 的潜供电流、消除发电机自励磁等措施，对电网的安全经济运行、促进电网节能， 具有重要意义。随着电网中冲击性负荷(如电弧炉、电解铝、轧钢、电气化铁路、 城市地铁、煤矿提升设备等)逐渐增多，电力电子技术和装置在电网中的广泛应 用，动态无功补偿和滤波装置对可控电抗器的安全可靠性等技术经济指标，提出 了更高的要求。目前，可控电抗器主要有以下几种类型调匝式、调气隙式、晶闸管控制电 抗器式(TCR)、高短路阻抗变压器式(TCT)和磁饱和式等，它们各有自己的优缺点。调匝式可控电抗器是通过断路器或接触器投切抽头，改变匝数实现电抗可调， 这种调节简单易行但达不到连续可调。调气隙式可控电抗器是通过精密机械传动 方式，连续改变磁路中气隙的长度，实现电抗的,连续可调，存在着响应速度慢、 噪本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，包括铁芯和绕组，其特征在于铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯外套装绕组，绕组是由（Ｌ１）－（Ｌ６）组成，其中（Ｌ１）和（Ｌ５）线头并接，（Ｌ４）和（Ｌ６）线尾并接，（Ｌ１）、（Ｌ２）的中间接点接可控硅（４）的阳极形成整流电路，（Ｌ３）、（Ｌ４）的中间接点接可控硅（５）的阳极形成整流电路，（Ｌ２）的尾端、（Ｌ６）的首端、（Ｌ３）的首端、（Ｌ５）的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流二极管的正极并接。

【技术特征摘要】
1. 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，包括铁芯和绕组，其特征在于铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯外套装绕组，绕组是由(L1)-(L6)组成，其中(L1)和(L5)线头并接，(L4)和(L6)线尾并接，(L1)、(L2)的中间接点接可控硅(4)的阳极形成整流电路，(L3)、(L4)的中间接点接可控硅(5)的阳极形成整流电路，(L2)的尾端、(L6)的首端、(L3)的首端、(L5)的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流二极管的正极并接。2、 根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于 绕组是由.3个独立的绕组(Ll) - (L3)组成，其中(L2)的两端并接可控硅组 成整流电路，两只可控硅的阴极阳极相互并接绕组(L2)首端，可控硅的阴极 阳极相互并接的另一端与绕组(L2)的末端接外接电源，绕组(L3)的两端接 一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。3、 根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学才，王珊，李俊英，
申请(专利权)人：王学才，
类型：实用新型
国别省市：88[中国|济南]