【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着半导体集成电路(Integrated circuit，IC)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。
[0003]在集成电路发展过程中，通常随着功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸) 也逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。
[0004]目前，在技术节点不断缩小的情况下，如何提高形成于晶圆上的图形与目标图形的匹配度成为了一种挑战。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，有利于提高目标图形的布局设计灵活度和自由度。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成多个沿第一方向延伸的核心层；在所述核心层的侧壁上形成第一侧墙；在所述待刻蚀层上形成多个沿所述第一方向延伸的牺牲层，覆盖所述第一侧墙沿所述第一方向的部分侧壁，所述牺牲层与所述核心层沿第二方向间隔排列，第二方向垂直于第一方向，所述牺牲层与所述核心层之间由第一侧墙相隔离，所述牺牲层的顶面高于所述核心层的顶面，所述牺牲层低于核心层顶面的部分作为底部牺牲层；在所述底部牺牲层的侧壁以及所述牺牲层露出的第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；在所述第二侧墙、牺牲层、第一侧墙和核心层露出的待刻蚀层上形成填充层，所述填充层的顶面与所述核心层的顶面相齐平，所述填充层与所述第一侧墙以及第二侧墙构成掩膜层；去除所述核心层以形成由所述掩膜层与待刻蚀层围成的第一凹槽，以及去除所述牺牲层以形成由所述掩膜层与待刻蚀层围成的第二凹槽；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽下方的待刻蚀层，形成目标图形。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层包括所述底部牺牲层以及位于所述底部牺牲层上的顶部牺牲层；在形成所述第二侧墙的步骤中，所述第二侧墙还形成在所述顶部牺牲层的侧壁上；所述半导体结构的形成方法还包括：在形成第二侧墙后，去除所述核心层和牺牲层之前，去除位于所述顶部牺牲层侧壁上的第二侧墙，暴露出所述核心层的顶面。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述填充层的步骤包括：在所述待刻蚀层上形成覆盖所述第二侧墙侧壁的填充材料层，所述填充材料层的顶面高于所述牺牲层的顶面；去除高于所述核心层顶面的填充材料层，剩余的所述填充材料层用于作为所述填充层；在去除高于所述核心层顶面的填充材料层的步骤中，去除位于所述顶部牺牲层侧壁上的第二侧墙。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二侧墙的步骤中，所述第二侧墙还形成于所述核心层、牺牲层以及所述第一侧墙的顶面；所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第二侧墙后，去除所述核心层和所述牺牲层之前，去除位于所述核心层、牺牲层以及第一侧墙顶面的所述第二侧墙。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述填充层的步骤中，去除位于所述核心层、牺牲层以及第一侧墙顶面的所述第二侧墙；形成所述填充层的步骤包括：在所述第二侧墙上形成填充材料层，所述填充材料层的顶面高于位于所述牺牲层顶面上的第二侧墙；去除高于所述核心层顶面的填充材料层，剩余的所述填充材料层用于作为所述填充层；在去除高于所述核心层顶面的填充材料层的步骤中，去除位于所述核心层、牺牲层和第一侧墙顶面的所述第二侧墙。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二侧墙之
后，形成所述填充层之前，去除位于所述牺牲层、核心层和第一侧墙顶面的所述第二侧墙；在形成所述填...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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