刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备技术方案

本发明专利技术提供一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备，所述方法包括：提供芯片设计版图；确定表征芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到刻蚀偏移量的收敛值；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。上述的方案，可以提高所得到的刻蚀偏移量的准确性，提高所形成的半导体结构的性能。的半导体结构的性能。的半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
[0003]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，最终在硅片上形成的实际图案相对于掩膜版上的图案会产生一定的误差。
[0004]然而，采用现有的刻蚀偏移修正方法得到的刻蚀偏移量的误差较大，降低了所形成的半导体结构的性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的问题是提供一种刻蚀偏移修正方法，以提高所得到刻蚀偏移量的准确性，提高半导体结构的性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀偏移修正方法，其特征在于，包括：提供芯片设计版图；确定表征所述芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。2.根据权利要求1所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，所述多个特征图案随机地分布于晶圆的中心区域和边缘区域。3.根据权利要求1所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，所述刻蚀偏移类别采用预设的分类特征向量进行标识；所述分类特征向量包括所述特征图案对应的长度、内部间距、外部间距和图案密度中至少一种。4.根据权利要求1所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，所述刻蚀测量数据为多条数据向量的集合，所述数据向量包括对应特征图案所属的产品名称、布局名称、所属工艺层所在的层位置、刻蚀偏移类别、坐标位置、所属芯片标识、刻蚀偏移量和刻蚀偏移量误差中至少一种。5.根据权利要求4所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，所述基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值，包括：设置迭代次数变量n和连续次数变量m，并初始化n＝1，m＝0；基于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差，计算得到第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量；采用第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量，对所述特征图案对应的掩膜版图案进行修正；采用修正后的掩膜版图案执行第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的光刻，并执行刻蚀工艺；获取第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据，并计算第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据中刻蚀偏移量误差的平均值，作为执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差；判断执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差的绝对值是否为小于预设的第一阈值；当确定执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差的绝对值小于所述第一阈值时，设置m＝m+1；判断m的数值是否大于或等于预设的第二阈值；当确定m的数值大于或等于所述第二阈值时，将采用执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差，计算得到执行第(n+1)次迭代对应的刻蚀偏移量，作为对应的刻蚀偏移量的收敛值并输出。6.根据权利要求5所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，当确定m的数值小于所述第二阈值时，所述基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值，还包括：
判断m的数值是否为零；当确定m的数值非为零时，将m的数值清零，并设置n＝n+1，并从所述基于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差，计算得到第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量的步骤重新开始执行，直至m的数值大于或等于所述第二阈值。7.根据权利要求5或6所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，当确定执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差的绝对值大于或等于所述第一阈值时，所述基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值，还包括：判断执行第n次迭代得到所述刻蚀偏移量误差的绝对值是否小于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值；当确定执行第n次迭代得到所述刻蚀偏移量误差的绝对值小于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值时，设置n＝n+1，并从所述基于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差，计算得到第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量的步骤重新开始执行，直至m的数值大于或等于所述第二阈值。8.根据权利要求7所述的刻蚀偏移修正方法，其特征在于，当确定执行第n次迭代得到所述刻蚀偏移量误差的绝对值大于或等于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值时，所述基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值，还包括：判断执行第n次迭代得到所述刻蚀偏移量误差的绝对值与执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值的差值是否小于预设的第三阈值；当确定执行第n次迭代得到所述刻蚀偏移量误差的绝对值与执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值的差值是否小于所述第三阈值时，判断执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值是否小于预设的第四阈值；当确定执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差的绝对值小于预设的第四阈值时，设置n＝n+1，并从所述基于执行第(n-1)次迭代得到的刻蚀偏移量误差，计算得到第n次生产制造所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟阳，王兴荣，王良，王伟斌，刘庆炜，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：