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本发明提供一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备，所述方法包括：提供芯片设计版图；确定表征芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到刻蚀偏移量的收...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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