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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在待刻蚀层上形成沿第一方向延伸的核心层；在核心层侧壁形成第一侧墙；形成沿第一方向延伸的牺牲层，牺牲层与核心层沿第二方向间隔排列，第二方向垂直于第一方向，牺牲层顶面高于核心层顶面，牺牲层低于核心层顶面...
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