MTJ器件及其制作方法以及MRAM技术

本发明专利技术提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM，该MTJ器件包括：衬底；设置在所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。应用本发明专利技术技术方案，在提高集成度的同时，提高了器件存储性能以及可靠性。能以及可靠性。能以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
MTJ器件及其制作方法以及MRAM


[0001]本专利技术涉及存储
，更具体的说，涉及一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM))是一种新兴的非挥发性存储技术，利用材料的磁电阻效应来实现数据的储存。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。MRAM不仅可以快速随机读写，而且在断电后能够永久保留数据。MRAM的核心存储单元是磁性隧道结(MTJ器件)。
[0003]MTJ器件主要由参考层、隧道势垒层以及自由层组成。一般情况下，三层相对平行层叠形成MTJ器件，但是该MTJ器件在进行两侧刻蚀工艺时，存在刻蚀界面材料磁性弱化的问题，减小MTJ器件的有效面积，影响器件的存储性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术技术方案提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM，以解决器件存储性能以及可靠性的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：/>[0006]一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MTJ器件，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向；所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。2.根据权利要求1所述的MTJ器件，其特征在于，所述衬底设置所述层叠结构的表面为第一表面，所述第一表面包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一绝缘介质层；所述第三部分MTJ位于所述第二区域；在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层；其中，所述预设表面包括：所述第二区域、所述第一绝缘介质层背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层靠近所述第二区域的侧面。3.根据权利要求2所述的MTJ器件，其特征在于，所述多层依次层叠的功能层包括：设置于所述预设表面上的第一电极层；设置于所述第一电极功能层背离所述预设表面一侧的参考层；设置于所述参考层背离所述第一电极功能层一侧的隧道势垒层；设置于所述隧道势垒层背离所述参考层一侧的自由层；设置于所述自由层背离所述隧道势垒层一侧的第二电极层。4.根据权利要求3所述的MTJ器件，其特征在于，所述第一表面还包括第三区域；所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间；具有覆盖所述第三区域以及所述叠层结构的第二绝缘介质层；所述第一表面为金属层，所述金属层与所述第一电极层连接；所述第二绝缘介质层具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述第三区域的金属层，所述第二通孔露出所述第二电极层；所述第二绝缘介质层背离所述衬底的一侧表面具有布线层，所述布线层通过所述第一通孔与所述金属层连接，通过所述第二通孔与所述第二电极层连接。5.根据权利要求3所述的MTJ器件，其特征在于，所述叠层结构进一步包括：位于所述自由层与所述第二电极层之间的欧姆接触层。6.一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，提供一衬底；在所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层；所述叠层结构包括：第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ；所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行，且垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛永吉，叶甜春，罗军，赵杰，
申请(专利权)人：澳芯集成电路技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：