像素电路、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本公开实施例提供了一种像素电路、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，用于在兼顾改善显示面板显示画面的残像问题的前提下，改善显示面板显示画面的亮点问题。像素电路包括发光器件、驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管。驱动晶体管的第二极与发光器件耦接，驱动晶体管被配置为响应于控制极的电压控制流经第一极和第二极的电流大小。第一晶体管的第一极与驱动晶体管的控制极耦接，第二极被配置为写入第一初始化信号。第二晶体管的第一极与发光器件耦接，第二极被配置为写入第二初始化信号。其中，第一晶体管包括串联的至少两个子晶体管，至少一个子晶体管的沟道的宽长比小于第二晶体管的沟道的宽长比。二晶体管的沟道的宽长比。二晶体管的沟道的宽长比。

【技术实现步骤摘要】
像素电路、显示面板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]目前，有机电致发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode Display，简称OLED)显示装置由于具有自发光、响应速度快、功耗低等优点，因而得到了越来越广泛的应用。
[0003]在OLED显示装置中，可以通过像素驱动电路来驱动OLED发光。像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。受制于薄膜晶体管自身的性质，在薄膜晶体管处于截止状态时，薄膜晶体管中会存在漏电流，从而导致显示装置的显示画面出现亮点、残像等，使显示画面的观感变差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种像素电路、显示面板和显示装置，用于在兼顾改善显示面板显示画面的残像问题的前提下，改善显示面板显示画面的亮点问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]第一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：发光器件；驱动晶体管，包括第一极、第二极和控制极，在所述驱动晶体管中，第二极与所述发光器件耦接，所述驱动晶体管被配置为响应于所述控制极的电压控制流经第一极和第二极的电流大小；第一晶体管，包括第一极、第二极和控制极，在所述第一晶体管中，第一极与所述驱动晶体管的控制极耦接，第二极被配置为写入第一初始化信号；第二晶体管，包括第一极、第二极和控制极，在所述第二晶体管中，第一极与所述发光器件耦接，第二极被配置为写入第二初始化信号；其中，所述第一晶体管包括串联的至少两个子晶体管，所述至少两个子晶体管的控制极相互耦接形成所述第一晶体管的控制极，至少一个子晶体管的沟道的宽长比小于所述第二晶体管的沟道的宽长比。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述至少两个子晶体管中，各个子晶体管的沟道的宽长比相同。3.根据权利要求1～2任一项所述的像素电路，其特征在于，每个子晶体管的沟道的宽度与所述第二晶体管的沟道的宽度相等。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，至少一个子晶体管的沟道的长度比所述第二晶体管的沟道的长度大0.8～1.2μm。5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，至少一个子晶体管的沟道的宽度为2.0～3.0μm，长度为2.7～4.0μm。6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，至少一个子晶体管的沟道的宽度为2.3
±
0.2μm，长度为3.5
±
0.2μm。7.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管的沟道的宽度比所述第二晶体管的沟道的宽度大。8.根据权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管的沟道的宽度为3.0
±
0.2μm。9.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：电容器、第四晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第六晶体管中的至少一个；其中，所述电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述驱动晶体管的控制极耦接，所述第二极板被配置为写入电源电压信号；所述第三晶体管包括第一极、第二极和控制极，在所述第三晶体管中，第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接，第一极被配置为写入数据信号；所述第四晶体管包括第一极、第二极和控制极，在所述第四晶体管中，第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王灿，张陶然，周炟，王建波，鲁晏廷，吴董杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：