【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品，已被广泛应用于手机、电脑、电视、车载、智能可穿戴设备等领域。
[0003]随着显示技术的发展，全面屏或窄边框等产品以其较大的屏占比和超窄边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。全面屏或窄边框产品通常采用屏下指纹或屏下摄像头技术(Full display with camera，简称FDC)，将摄像头等传感器放置于显示基板的屏下摄像区域(Under Display Camera，简称UDC)，屏下摄...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括正常显示区和透光显示区，所述正常显示区被配置为进行图像显示，所述透光显示区被配置为进行图像显示和透过光线；在垂直于所述显示基板的平面上，所述透光显示区包括设置在基底上的透光结构层和设置在所述透光结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述透光结构层包括遮挡层，所述发光结构层包括图案化的阴极，所述遮挡层被配置为在阴极图案化处理中作为遮挡结构，使图案化的阴极在基底上的正投影与所述遮挡层在基底上的正投影重叠。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层还包括图案化的阳极，所述阳极在基底上的正投影位于所述遮挡层在基底上的正投影的范围之内。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透光显示区包括像素区和过渡区，所述过渡区位于所述正常显示区和所述像素区之间，所述遮挡层设置在所述像素区，所述过渡区包括电源线，所述图案化的阴极与所述电源线连接。4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述透光结构层包括：设置在所述基底上的复合绝缘层，设置在所述复合绝缘层远离所述基底一侧的第三导电层，设置在所述第三导电层远离所述基底一侧的钝化层，设置在所述钝化层远离所述基底一侧的第四导电层，以及设置在所述第四导电层远离所述基底一侧的第一平坦层；所述第三导电层包括位于所述过渡区的电源线，所述第四导电层包括位于所述像素区的遮挡层。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括：设置在所述第一平坦层远离所述基底一侧的阳极导电层，设置在所述阳极导电层远离所述基底一侧的像素定义层，以及有机发光层和阴极；所述阳极导电层包括位于所述像素区的多个阳极和位于所述过渡区的第一过渡电极，所述第一过渡电极与所述电源线连接；所述过渡区的像素定义层上设置有第一像素过孔，所述阴极通过所述第一像素过孔与所述第一过渡电极连接。6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述像素区包括多个像素单元，至少一个像素单元包括沿着第一方向依次的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素；至少一个像素单元中的遮挡层包括第一遮挡块、第二遮挡块、第三遮挡块、第四遮挡块和遮挡线，所述遮挡线为沿着所述第一方向延伸的条形状，所述第一遮挡块、第二遮挡块、第三遮挡块和第四遮挡块沿着所述第一方向间隔设置，且均与所述遮挡线连接；所述第一子像素的阳极在基底上的正投影位于所述第一遮挡块在基底上的正投影的范围之内，所述第二子像素的阳极在基底上的正投影位于所述第二遮挡块在基底上的正投影的范围之内，所述第三子像素的阳极在基底上的正投影位于所述第三遮挡块在基底上的正投影的范围之内，所述第四子像素的阳极在基底上的正投影位于所述第四遮挡块在基底上的正投影的范围之内。7.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述透光结构层包括：设置在所述基底上的复合绝缘层，设置在所述复合绝缘层远离基底一侧的第三导电层，设置在所述第三导电层远离所述基底一侧的钝化层，设置在所述钝化层远离所述基底一侧的第四导电层，设置在所述第四导电层远离所述基底一侧的第一平坦层，设置在所述第一平坦层远离所述基底一侧的透明导电层，以及设置在所述透明导电层远离所述基底一侧的第二平坦层；所述第三导电层包括位于所述过渡区的电源线，所述第四导电层包括位于所述像素区的遮挡层，所述透明导电层包括位于所述像素区和过渡区的电源连接线，所述电源连接
线与所述电源线连...
【专利技术属性】
技术研发人员：董向丹，王蓉，于池，史大为，黄灿，杨璐，赵天龙，解洋，李柯远，温宵松，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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