一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及隧穿磁电阻领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结，其中，所述底电极层包括衬底和顺次覆盖于所述衬底之上的底部重金属层，顶部重金属层。可见，本发明专利技术示意的自旋轨道矩存储器，通过将原重金属层的单层结构变更为多层结构，使衬底之上的重金属层结构厚度增加，增大了刻蚀制程中对刻蚀精度和刻蚀时间的调节范围，降低了因刻蚀精度异常引发的制程不良的风险。且由于多层金属层结构在实际应用中也具有更大的自旋霍尔角，从而更利于降低电流翻转密度，利于器件的集成。利于器件的集成。利于器件的集成。

【技术实现步骤摘要】
一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及电子领域，特别是一种磁性随机存储器的制备方法。

技术介绍

[0002]随着新兴存储器研发工艺的不断发展成熟，自旋轨道矩磁存储器(SOT
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MRAM，Spin Orbit Torque
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Magnetic Access Memory)得到越发广泛的应用。SOT
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MRAM具有非易失性，高速低功耗数据写入能力以及高器件耐久性等优点，正逐步成为继自旋转移矩随机存储器(STT
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MRAM，Spin Transfer Torque
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Magnetic Random Access Memory)后新一代随机存储器，并成为了有望突破后摩尔时代集成电路功耗瓶颈的关键技术。
[0003]但实际在制备SOT
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MRAM过程中主要存在两类问题：1)对于互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor)衬底其表面粗糙度工艺处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结(3)，其中，所述底电极层包括衬底和顺次覆盖于所述衬底之上的底部重金属层(1)，顶部重金属层(2)。2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结(3)设置于所述顶部重金属层(2)之上，所述磁隧道结(3)包括自由层，非磁性势垒层、固定层和覆盖层，其中，所述自由层设置于所述顶部重金属层(2)之上，所述非磁性势垒层设置于所述自由层之上、所述固定层自由层非磁性势垒层，所述覆盖层设置于所述磁隧道结顶层。3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结(3)还包括：钉扎层和反铁磁层，所述钉扎层位于固定层之上，所述反铁磁层位于钉扎层之上，以及覆盖层之下，其中，所述固定层、所述钉扎层和所述反铁磁层作为人工反铁磁耦合层(4)。4.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述底部重金属层(1)由可产生自旋霍尔角的金属得到。5.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述顶部重金属层(2)材料的类别包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢世阳，张静，商显涛，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：