一种通孔填充制作方法技术

本发明专利技术涉及通孔填充制作方法，包括以下步骤：提供已完成通孔、绝缘层制备的样件，在完成通孔和绝缘层制备的样件上的通孔侧壁及表面电镀或化镀金属层；将样件任意一面键合在第一载板上，在另一面压入干膜填充通孔并均匀覆盖表面；将表面干膜图案化后去除除通孔区域之外的干膜，并固化剩余干膜；在表面制作图案介质层，去除未被介质层覆盖的金属层，并将介质层全部清除；将样件已加工一面键合到第二载板上，并将样件与第一载板上解键合，重复压干膜、图案化、去除干膜、干膜固化、制作图案介质层、去除金属层和介质层、将样件从第二载板上解键合，完成通孔填充制作，并实现电互联。该方法孔洞率小、对高端设备依赖小、封装可靠性高，生产效率高。效率高。效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种通孔填充制作方法


[0001]本专利技术涉及一种集成电路的封装方法，尤其是一种通孔填充制作方法。

技术介绍

[0002]三维集成工艺是目前集成电路的主要发展方向，因其高频特性出色，能减小传输延时、降低噪声、封装尺寸小、热膨胀可靠性高等优点受到业界的重视，可应用范围也较广。
[0003]现有通孔填充工艺主要是用电镀工艺淀积金属填充通孔完成电互联。这一工艺中对材料、设备要求高，且工艺窗口窄，通孔填充金属后易出现空洞，对整个电路的可靠性造成影响。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提供一种对材料、设备要求低、通孔填充后不易出现空洞、电路可靠性高的一种通孔填充制作方法，具体技术方案为：一种通孔填充制作方法，包括以下步骤：对样件的通孔侧壁及样件的表面电镀或化镀金属层，所述样件为已完成通孔和绝缘层制备的样件；将所述样件任意一面键合在第一载板上，在另一面压入干膜填充所述通孔，并均匀覆盖所述样件的表面；将表面干膜图案化后，去除除所述通孔区域之外的干膜，对保留的干膜进行固化；接着在所述样件的表面制作具有图案的介质层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通孔填充制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对样件的通孔侧壁及样件的表面电镀或化镀金属层，所述样件为已完成通孔和绝缘层制备的样件；将所述样件任意一面键合在第一载板上，在另一面压入干膜填充所述通孔，并均匀覆盖所述样件的表面；将表面干膜图案化后，去除除所述通孔区域之外的干膜，对保留的干膜进行固化；接着在所述样件的表面制作具有图案的介质层，通过刻蚀液刻蚀掉未被所述介质层覆盖的金属层后，将所述介质层全部清除；将所述样件已加工一面键合到第二载板上，并将所述样件与所述第一载板上解键合，然后压入干膜填充所述通孔内未填充部分并均匀覆盖所述样件的表面；将表面干膜图案化后，去除除开口区域之外的干膜，对保留的干膜进行固化；接着在表面制作具有图案的介质层，通过刻蚀液刻蚀掉未被所述介质层覆盖的金属层后，将所述介质层全部清除；最后将所述样件从所述第二载板上解键合，完成通孔填充制作，并实现电互联。2.根据权利要求1所述的一种通孔填充制作方法，其特征在于，所述样件包括硅、玻璃或树脂料，所述样件包括任意尺寸的晶圆级或板级，所述样件的厚度不大于1000μm。3.根据权利要求1所述的一种通孔填充制作方法，其特征在于，所述电镀或化镀金属层中的金属包括Ni、Cu、Au中的一种或多种，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶刚，吉勇，李奇哲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：