【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体衬底等各种基板上形成的电感元件。
技术介绍
已知一种利用薄膜形成技术,在半导体衬底上形成旋涡状的图形电极,将该图形电极作为电感元件利用的半导体电路。如果电流流过在这样的半导体衬底上形成的电感元件,则沿垂直于旋涡状的图形电极的方向发生磁通量,但由于该磁通量在半导体衬底表面上发生涡电流,会抵消有效磁通量,所以作为电感元件无法有效地起作用,这是不适宜的。特别是,流过电感元件的信号的频率越高,该倾向就越显著,难以在半导体衬底上形成包括电感元件的高频电路。作为避免这样的不适宜情况的现有技术,已知有特开平10-208940号公报中公开的电感元件。该电感元件具有将与电感导体形状相同的浮置导体配置在电感导体和基板之间的双层结构,能降低基板表面上发生的涡电流。可是,由于特开平10-208940号公报中公开的电感元件在基板上呈平面地形成电感导体和浮置导体,所以通过配置从电感导体延伸的引线,有可能遮挡由电感导体发生的有效磁通量流,存在不能获得充分的特性的问题。另外,由于浮置导体在电学上完全呈浮置状态,所以随着电感导体中输入输出的信号频率等的不同,在该浮置导体中 ...
【技术保护点】
一种电感元件,其特征在于:有相互呈绝缘状态在基板上重叠形成的两个导体,将离开上述基板的一个上述导体作为电感导体用,同时在规定的阻抗元件中将另一个上述导体的至少一个端部作为终端。
【技术特征摘要】
JP 1999-8-17 230293/991.一种电感元件,其特征在于有相互呈绝缘状态在基板上重叠形成的两个导体,将离开上述基板的一个上述导体作为电感导体用,同时在规定的阻抗元件中将另一个上述导体的至少一个端部作为终端。2.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于上述的阻抗元件能变更电阻器、电容器、电感器中的至少一种的元件常数,通过变更上述元件常数来变更终端条件。3.根据权利要求2所述的电感元件,其特征在于上述基板是半导体衬底,由利用在上述半导体衬底的内外形成的半导体层的可变电容二极管形成上述电容器。4.根据权利要求2所述的电感元件,其特征在于上述基板是半导体衬底,...
【专利技术属性】
技术研发人员:冈本明,池田毅,
申请(专利权)人:新泻精密株式会社,株式会社理光,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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